安森美助力数据中心能效革命：PowerTrench® T10系列与EliteSiC 650V MOSFET

随着人工智能(AI)技术的快速发展，数据中心面临着日益增长的计算需求，这也导致了电力消耗的急剧增加。与普通搜索引擎请求相比，AI驱动的应用程序需要超过10倍的电力。因此，提高数据中心的能效成为了当务之急。安森美(onsemi)推出的PowerTrench® T10系列和EliteSiC 650V MOSFET组合方案，为解决这一挑战提供了有力支持。

PowerTrench® T10系列与EliteSiC 650V MOSFET组合方案的优势

该方案通过在紧凑的封装尺寸下提供卓越的能效和热性能，显著降低了能量转换过程中的功率损耗。使用PowerTrench® T10系列和EliteSiC 650V MOSFET解决方案，数据中心能够减少约1%的电力损耗。考虑到全球数据中心的总能耗，这一小小的改进如果得到广泛实施，每年可以节省大约10太瓦时(TWh)的能源消耗，这相当于为近百万户家庭提供一年的电力供应。

 EliteSiC 650V MOSFET的高性能特点

- 卓越的开关性能：EliteSiC 650V MOSFET提供了极佳的开关性能和更低的器件电容，使得数据中心和储能系统能够实现更高的效率。

- 显著降低开关损耗：新一代SiC MOSFET相较于上一代产品，栅极电荷减半，并且将储存在输出电容(Eoss)和输出电荷(Qoss)中的能量减少了44%。

- 无拖尾电流：与超级结(SJ) MOSFET相比，它们在关断时没有拖尾电流，即使在高温条件下也能表现出色，进一步降低了开关损耗。

- 小型化与成本效益：客户可以利用这些优势提高工作频率，同时减小系统元件的尺寸，从而全面降低系统成本。

PowerTrench® T10系列的特点

- 高电流处理能力：PowerTrench® T10系列专为处理大电流而设计，尤其适用于DC-DC功率转换级。

- 紧凑的封装与高功率密度：通过屏蔽栅极沟槽设计，该系列实现了超低栅极电荷和小于1毫欧的导通电阻RDS(on)，从而在紧凑的封装尺寸下提供了高功率密度。

- 软恢复体二极管：软恢复体二极管和较低的Qrr有效减少了振铃、过冲和电气噪声，确保了在各种应力条件下的最佳性能、可靠性和稳健性。

- 符合开放式机架V3基本规范：该组合解决方案符合超大规模运营商所需的严格的开放式机架V3(ORV3)基本规范，支持下一代大功率处理器。

总之，安森美(onsemi)的PowerTrench® T10系列和EliteSiC 650V MOSFET组合方案不仅显著提高了数据中心的能效，还为未来的高性能计算需求提供了坚实的基础。如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。