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ROHM提供支持PSIM™的第四代SiC MOSFET仿真模型

来源:中芯巨能:提供选型指导+现货供应+技术支持| 发布日期:2024-08-22 09:31:53 浏览量:

全球知名的半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)近日宣布,开始提供支持电力电子仿真工具PSIM™的第四代碳化硅(SiC)MOSFET仿真模型。这一新模型可在Altair® US公司开发的电力电子和电机控制用电路仿真工具PSIM™中使用。设计人员可以从ROHM官方网站下载模型文件,进而轻松进行系统级评估。此举将进一步推动功率元器件在更广泛的产业领域中的高效设计和评估。

PSIM™的特点

PSIM™是一款专为电力电子和电机控制系统设计的电路仿真工具,具有以下显著特点:

-稳健、高速的功率转换器和电机驱动仿真:PSIM™能够模拟复杂的电力电子系统,包括功率转换器和电机驱动系统,确保仿真结果的准确性。

-直观的图形用户界面(GUI):用户可以通过简单易用的界面轻松创建主电路和控制电路,极大地简化了设计流程。

-多物理场仿真平台联动:PSIM™可以与Altair多物理场仿真平台联动,例如,通过与计算流体力学(CFD)软件耦合,实现高保真度的温度预测,从而帮助设计人员更好地理解系统在实际工作条件下的表现。

ROHM提供支持PSIM™的第四代SiC MOSFET仿真模型

ROHM提供的SiC MOSFET仿真模型的优势

-第四代SiC MOSFET仿真模型:ROHM提供的新型SiC MOSFET仿真模型支持PSIM™,这标志着ROHM在半导体技术仿真领域的又一重要里程碑。

-易于访问:设计人员可以直接从ROHM官方网站免费下载仿真模型文件,无需复杂的安装过程即可开始系统级评估。

-系统级评估:借助ROHM提供的仿真模型,设计人员能够在设计初期就进行系统级评估,从而优化设计方案,减少实物原型的制作次数,加快产品上市时间。

发布的产品

支持PSIM™的第四代SiC MOSFET产品

ROHM提供的支持PSIM™的第四代SiC MOSFET仿真模型将进一步促进功率元器件在电力电子领域的应用。通过使用ROHM的仿真模型和PSIM™工具,设计人员能够更高效地评估和优化他们的设计,从而加速产品的研发进程。这一举措不仅有助于推动功率元器件技术的发展,还将为更广泛的产业领域带来积极影响。如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。

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