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基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布，其备受市场欢迎的功率双极结型晶体管(BJT)产品系列再次扩展，推出了共计二十款新产品，其中包括十款标准产品和十款汽车级产品。这些新器件的额定电压为50V和80V，支持1A至3A电流范围内的NPN和PNP极性，进一步加强了Nexperia作为市场领先供应商的地位。此次发布的产品采用了紧凑的DFN2020D-3封装，旨在满足设计工程师对于节省空间和能源的需求，从而逐步替代传统的SOT223和SOT89封装。
DFN2020D-3封装的功率BJT相比于有引脚的封装，可以大幅节省电路板空间。例如，相较于SOT89封装，DFN2020D-3封装能够减少高达80%的电路板占用面积；与SOT223相比，则能减少90%的空间占用。此外，DFN2020D-3封装还具备侧面可润湿焊盘，这使得自动光学检测(AOI)能够更有效地检查焊点质量，从而增强了产品的可靠性和耐用性。
除了提供标准的晶体管外，Nexperia还推出了一系列低VCEsat(集电极-发射极饱和电压)的器件，如型号PBS5350PAS-Q。这些器件结合了超低的饱和电压和高电流增益的特点，有助于提升多种电源应用中的能效。低VCEsat晶体管由于其优异的性能，可以替代使用较大封装的标准晶体管，从而允许在更小的印刷电路板(PCB)上实现更加紧凑的设计布局。如需PBS5350PAS-Q产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
通过这一系列新品的推出，Nexperia不仅进一步丰富了其功率BJT产品组合，还为设计工程师提供了更多选择，帮助他们在追求更小、更高效的设计过程中获得竞争优势。
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布，公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合，并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化，旨在提高服务器、电...【详情+】
在全球半导体市场日益繁荣且竞争加剧的背景下，安世半导体（Nexperia）始终坚持以客户需求为导向，专注于研发更高效、更可靠的功率器件，持续推动工程师群体的设计创新。2024年，安世半导体将首次亮相PCIM Asia（亚洲电力电子系统及元器件展览会），并携带一系列创新产品和技术，为业界带来新的启...【详情+】
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