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Diodes 公司推出两款新型高电压霍尔效应开关芯片,扩展汽车规格产品线

来源:Diodes 公司| 发布日期:2024-10-08 13:53:01 浏览量:

Diodes 公司(Nasdaq:DIOD)宣布在其符合汽车规格的产品组合中新增了两款增强型高电压霍尔效应开关芯片系列:单极的AH332xQ和全极的AH352xQ。这些器件采用SIP-3、SOT23(S型)和SC59封装,提供多种工作灵敏度选项,广泛适用于非接触位置与接近检测应用,如安全带固定、车门/后车厢启闭、雨刷以及方向盘锁。

单极 AH332xQ

单极AH332xQ在正确极性的磁通量密度超过定义的工作阈值(BOP)时启动,并在磁通量低于释放阈值(BRP)时关闭。该系列提供了十种不同的灵敏度选择,范围从高灵敏度的30G BOP到低灵敏度的275G BOP,允许用户根据具体应用需求选择合适的磁铁和距离,以实现最佳的感测效果。

全极 AH352xQ

全极AH352xQ则在S极或N极的磁通量密度超过BOP时启动,在低于BRP时关闭。该系列提供三种高灵敏度选项,范围介于±20G到±40G BOP之间。

稳定性和可靠性

AH332xQ和AH352xQ的BOP和BRP阈值设计提供了紧凑的工作范围,充足的迟滞特性确保了可靠的操作。同时,低温系数保证了开关点的稳定性,即使在极端温度条件下也能保持一致的性能。

电气特性

这两款霍尔效应器件具有漏极开路输出,可在3.0V到28V的宽电压范围内工作,工作温度范围为-40°C到+150°C,适合在严苛的汽车环境中使用。即使在对封装施加物理应力的情况下,这些器件仍能维持高度精准的灵敏度。

为了进一步提高稳固性和可靠性,AH332xQ和AH352xQ在电源引脚配备了带有齐纳钳位的反向阻断二极管,并在漏极开路输出端设置了过流限制和齐纳钳位。此外,这两款器件还具备出色的静电放电(ESD)保护能力,支持超过8kV HBM(人体模型)和1kV CDM(充电设备模型),并具有40V负载突降能力。

结论

通过引入AH332xQ和AH352xQ系列,Diodes公司进一步丰富了其符合汽车规格的产品线,为客户提供更多选择,以满足各种非接触位置与接近检测应用的需求。这些高性能霍尔效应开关芯片不仅具备广泛的灵敏度选项,还拥有卓越的稳定性和可靠性,能够在严苛的汽车环境中可靠运行。如需AH332xQ和AH352xQ系列产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。

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