意法半导体推出第四代STPOWER碳化硅MOSFET技术，引领能效与功率密度新标杆

意法半导体（简称ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技术。这一新技术在能效、功率密度和稳健性方面有望成为市场的新标杆。除了满足汽车和工业市场的广泛需求外，意法半导体还特别针对电动汽车电驱系统中的关键部件——逆变器进行了优化。公司计划在2027年前推出更多先进的SiC技术创新成果，以履行其创新承诺。

高层观点

意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS和传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis表示：“我们致力于为市场提供尖端的碳化硅技术，推动电动汽车和高能效工业的未来发展。通过在器件、先进封装和电源模块方面的持续创新，我们将推进SiC MOSFET技术的发展。结合垂直整合制造战略，我们将通过提供行业前沿的SiC技术并打造富有韧性的供应链，来满足客户日益增长的需求，并为更可持续的未来做出贡献。”

技术优势

作为SiC功率MOSFET市场的领导者，意法半导体不断推进技术创新，充分利用SiC在能效和功率密度方面优于传统硅基器件的优势。最新一代SiC器件旨在改善未来的电动汽车电驱逆变器平台，进一步释放小型化和节能潜力。尽管电动汽车市场持续增长，但要实现广泛应用仍面临挑战。汽车制造商正在探索如何推出普通消费者都能负担得起的电动汽车。基于SiC的800V电动汽车平台电驱系统能够实现更快的充电速度，减轻车辆重量，从而帮助汽车制造商生产续航里程更长的高端车型。意法半导体的新SiC MOSFET产品提供了750V和1200V两个电压等级，分别提高了400V和800V电动汽车平台电驱逆变器的能效和性能。将这些技术优势应用于中型和紧凑型车型，有助于让电动汽车更加普及。此外，新一代SiC技术还适用于各种大功率工业设备，如太阳能逆变器、储能解决方案和数据中心等，显著提高能源效率。

产品进度

意法半导体现已完成第四代SiC技术平台750V电压等级的产前认证，预计将在2025年第一季度完成1200V电压等级的认证。标称电压为750V和1200V的产品随后将上市销售，从标准市电电压到高压电动汽车电池和充电器，满足设计人员的各种应用开发需求。

应用场景

与传统的硅基解决方案相比，意法半导体的第四代SiC MOSFET解决方案具有更高的能效、更小的尺寸、更轻的重量以及更长的续航能力。这些优势对于实现电动汽车的广泛应用至关重要。一线电动汽车厂商正与意法半导体合作，将第四代SiC技术引入他们的新车型，以提高性能和能源效率。虽然主要应用是电动汽车电驱逆变器，但该技术同样适用于大功率工业电机驱动器。新一代产品改进了开关性能和稳健性，使电机控制器变得更高效、更可靠，降低了工业环境中的能耗和运营成本。在可再生能源应用中，第四代SiC MOSFET可以提高太阳能逆变器和储能系统的能效，有助于实现更可持续且成本效益更高的能源解决方案。此外，新一代SiC MOSFET的高能效和紧凑尺寸对于解决AI服务器数据中心的巨大功率需求和热管理挑战至关重要。

结论

意法半导体的第四代STPOWER SiC MOSFET技术不仅提升了电动汽车和工业应用的性能和能效，还为实现更可持续的未来做出了重要贡献。随着这项技术的推广和应用，意法半导体将继续在碳化硅领域保持领先地位，推动全球能源转型和技术进步。