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通过采用意法半导体的SiC MOSFET,设计师可以将宽带隙材料(WBG)的创新优势引入其新项目中。这些碳化硅MOSFET提供650V至2200V的宽电压范围,基于先进的技术平台,具备卓越的开关性能和极低的单位面积导通电阻。
汽车级认证:满足严苛的汽车行业标准。
耐高温能力:最高结温可达200°C。
高频操作与低损耗:支持超高频率工作,并具有极低的开关损耗。
低导通电阻:降低能耗,提高效率。
兼容现有栅极驱动IC:简化设计过程。
稳定快速的体二极管:增强整体系统的可靠性。
SCTH60N120G2-7:Gen2 1200 V STPOWER SiC MOSFET采用微型H2PAK-7 SMD封装,功率密度更高装。
SCTWA35N65G2V-4:碳化硅功率 MOSFET 650 V,典型值 55 mOhm,45 A,采用 HiP247-4 封装。
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意法半导体提供的SiC MOSFET产品线覆盖了多种先进封装形式,如HiP247、H2PAK-7、TO-247长引线、STPAK及HU3PAK,专门针对汽车和工业应用的需求进行优化设计。此外,包括第三代G3在内的所有型号均可提供裸晶片选项,符合严格的汽车级要求,例如晶圆级老化测试(WLBI)和已知良好晶片(KGD)流程,支持重构晶圆或卷盘封装形式供货。