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【一文读懂】意法半导体碳化硅(SiC)MOSFET简介

来源:中芯巨能:提供选型指导+现货供应+技术支持| 发布日期:2024-10-31 12:00:02 浏览量:

通过采用意法半导体的SiC MOSFET,设计师可以将宽带隙材料(WBG)的创新优势引入其新项目中。这些碳化硅MOSFET提供650V至2200V的宽电压范围,基于先进的技术平台,具备卓越的开关性能和极低的单位面积导通电阻。

意法半导体SiC MOSFET主要特点

汽车级认证:满足严苛的汽车行业标准。

耐高温能力:最高结温可达200°C。

高频操作与低损耗:支持超高频率工作,并具有极低的开关损耗。

低导通电阻:降低能耗,提高效率。

兼容现有栅极驱动IC:简化设计过程。

稳定快速的体二极管:增强整体系统的可靠性。

【一文读懂】意法半导体碳化硅(SiC)MOSFET简介

意法半导体SiC MOSFET精选产品

SCTH60N120G2-7:Gen2 1200 V STPOWER SiC MOSFET采用微型H2PAK-7 SMD封装,功率密度更高装。

SCTWA35N65G2V-4:碳化硅功率 MOSFET 650 V,典型值 55 mOhm,45 A,采用 HiP247-4 封装。

如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。

意法半导体SiC MOSFET精选产品

意法半导体提供的SiC MOSFET产品线覆盖了多种先进封装形式,如HiP247、H2PAK-7、TO-247长引线、STPAK及HU3PAK,专门针对汽车和工业应用的需求进行优化设计。此外,包括第三代G3在内的所有型号均可提供裸晶片选项,符合严格的汽车级要求,例如晶圆级老化测试(WLBI)和已知良好晶片(KGD)流程,支持重构晶圆或卷盘封装形式供货。

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