英飞凌MOSFET 及模块荣获2024全球电子成就奖

2024年11月5日，英飞凌科技的CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块（包括EasyPACK™ 3B封装和62mm封装）凭借其市场领先的产品设计和卓越的性能，荣获2024年全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, WEAA）“年度高性能无源/分立器件”（High Performance Passive/Discrete Devices of the Year）。英飞凌科技工业与基础设施业务产品总监张明丹女士出席了本次颁奖典礼。

产品亮点

CoolSiC™ MOSFET 2000V分立器件

封装与电气特性：采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。

技术特点：基于第一代增强型沟槽栅技术，该产品在电压等级上实现了向上拓展，成为市面上首款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件，适用于最高1500 VDC的高直流电压母线系统。

散热与防潮性能：凭借.XT扩散焊技术，这款产品可提供一流的散热性能和高防潮性，不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也能确保系统的可靠性。

CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅模块

封装与技术：采用了增强型M1H Trench SiC MOSFET芯片技术，搭载EasyPACK™ 3B封装和62mm两种封装。其中，DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一个采用EasyPACK™ 3B封装的2000V CoolSiC™ MOSFET功率模块，适用于1500V光伏系统。

性能优势：实际应用中，通过使用该产品，两电平可以取代三电平的结构，在轻载下，Boost升压效率提高了1%，而在所有工作条件下，升压效率平均提高了0.5%。它实现了更简单的解决方案，减少了器件的数量，同时提高了功率密度，降低了1500 VDC应用的总系统成本。

62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块

优化性能：优化了VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压范围等SiC MOS关键性能。该产品VGS(th)最大正负栅极源极电压分别扩展至+23V和-10V，同时增大了推荐栅极驱动电压的范围，+15...+18V和0...-5V。

高温性能：过载条件下的Tvjop最高可达175℃，与市场同类产品相比，62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块具备高频、耐高压、耐高温、低损耗、抗辐射能力强等显著优势。

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应用领域

英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件及模块在多个领域具有显著的应用优势：

光伏发电：适用于1500V光伏系统，提高升压效率，简化系统设计，降低总系统成本。

工业电源：适用于高直流电压母线系统，确保系统的可靠性和效率。

电动汽车：提高功率密度，减少器件数量，提高系统的整体性能。

储能系统：提高系统的可靠性和效率，延长使用寿命

英飞凌CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件及模块的获奖，再次展现了英飞凌在电力电子领域的技术创新能力和行业领先地位。英飞凌将继续致力于研发更多高性能、高可靠性的碳化硅产品，为行业客户创造更大的价值。张明丹女士表示，英飞凌将不断推动技术进步，为客户提供更加高效、可靠的解决方案。