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11月5日，上海贝岭市场工业市场经理冒晶晶受邀参加了由全球技术信息集团ASPENCORE举办的“IIC SHENZHEN-国际集成电路展览会暨研讨会”。在会议上，冒晶晶进行了题为“功率器件助推上海贝岭积极融入新能源赛道”的主题演讲，并与出席会议的各大半导体行业专家及相关产业嘉宾进行了深入的交流和学习。
在此次会议上，上海贝岭凭借其第7代750V 275A沟槽栅场阻止结构IGBT芯片（BLQG275T75F）荣获“年度功率半导体/驱动器”奖项。这一荣誉不仅是对上海贝岭技术实力和市场表现的肯定，也标志着公司在新能源领域的重大突破。
BLQG275T75F产品基于贝岭Trench-FS Gen7技术平台，具有以下显著特点：
正向压降小：优化了导通压降，减少了能量损失。
开关速度快：提高了开关速度，提升了系统效率。
开关损耗低：优化了开关损耗，降低了热应力。
高可靠性：采用了第七代微沟槽栅技术，确保了产品的高可靠性。
优化的多层场截止技术：改善了器件在不同母线电压和栅电阻下的短路表现。
优化的结终端技术：实现了175℃的最高工作温度，增强了产品的鲁棒性。
该芯片已完成全面的车规认证，特别适用于工作频率在5至20kHz的硬开关电路，主要面向新能源汽车应用市场。针对电动汽车驱动应用特点，该芯片特别优化了损耗分布和正温度系数，使其易于并联使用，保证了产品的易拓展性，可通过不同封装形式满足不同功率等级的应用。
如需BLQG275T75F产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
TO-247PLUS单管封装：广泛应用于最高40kW的汽车主驱逆变器，适合A0级和A00级纯电动汽车。
HPD等形式的750V IGBT功率模块：广泛应用于最高120kW的汽车主驱逆变器，适合A级纯电动及混合动力汽车。
上海贝岭将继续致力于功率器件的研发和创新，积极融入新能源赛道。通过不断优化产品性能和可靠性，上海贝岭将为新能源汽车行业提供更高效、更可靠的解决方案，助力行业的可持续发展。
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