安世半导体荣获2024年度全球电子成就奖“年度功率半导体产品奖”

在年度全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards）的颁奖典礼上，安世半导体凭借其1200 V SiC（碳化硅）MOSFET在功率半导体领域的卓越表现，荣获“年度功率半导体产品奖”。这一奖项不仅是对安世半导体在功率半导体市场领导地位的认可，更是对其产品竞争力和技术创新能力的高度肯定。安世半导体碳化硅高级产品经理董建云代表公司出席了颁奖典礼，并领取了这一荣誉奖项。

全球电子成就奖简介

全球电子成就奖旨在表彰那些对推动全球电子产业发展做出杰出贡献的企业和个人。获奖企业和产品均是各自领域的佼佼者，充分展示了他们在行业内的领导地位和卓越表现。此次安世半导体的获奖，再次证明了其在全球功率半导体市场的领先地位。

获奖产品介绍

安世半导体于2024年5月推出的NSF030120D7A0是一款基于碳化硅的1200 V功率MOSFET。该产品采用了成熟的7引脚TO-263塑料封装，适用于表面贴装PCB技术。NSF030120D7A0在多个关键性能参数上表现出色，尤其是在RDS(on)温度稳定性和高开关速度方面。

RDS(on) 温度稳定性：RDS(on)是影响传导功率损耗的关键参数。通过创新的工艺技术，Nexperia的SiC MOSFET实现了业界领先的温度稳定性。在25℃至175℃的工作温度范围内，RDS(on)的标称值仅增加了38%，远低于市场上的其他SiC器件。

高开关速度：NSF030120D7A0具备高开关速度，能够显著降低开关损耗，提高整体系统效率。

高短路耐用性：该产品具有出色的短路耐用性，能够在极端条件下保持稳定运行，确保系统的可靠性和安全性。

VGS(th)阈值电压：NSF030120D7A0的VGS(th)阈值电压器件间分布差异极低，这使得在并联工作时，无论是在静态还是动态条件下，都能实现非常均衡的载流性能。

低体二极管正向电压(VSD)：较低的体二极管正向电压有助于提高器件的稳健性和效率，同时还能放宽对异步整流和续流操作的死区时间要求。

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应用领域

NSF030120D7A0因其出色的性能，特别适用于电动汽车充电、基础设施、光伏逆变器和电机驱动等领域。这些应用对功率效率和系统可靠性要求极高，而NSF030120D7A0的卓越性能使其成为这些领域的首选产品。

未来展望

在IIC Shenzhen 2024同期举行的高效电源管理及宽禁带半导体技术论坛上，安世半导体碳化硅高级产品经理董建云发表了关于Nexperia碳化硅技术的专题报告，详细介绍了如何通过碳化硅技术赋能电气化和绿色节能的未来。安世半导体将继续致力于技术创新，推出更多高性能、高可靠性的功率半导体产品，为全球电子产业的发展贡献力量。