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随着信息技术的迅猛发展，数据中心作为数据处理的核心设施，其能效问题日益受到重视。同步整流技术作为提高电源转换效率的关键手段，已在高性能、大电流、低压电源转换应用中得到广泛应用，尤其是在数据中心服务器领域。在此类应用中，MOSFET 参数如 RDS(ON)、Qg、QOSS 和 Qrr 对转换效率的影响尤为显著，因此，器件制造商不断探索减少这些参数负面影响的方法。
安森美推出的 PowerTrench T10 MOSFET 采用了创新的屏蔽栅极沟道设计，实现了极低的 Qg 值，同时将 RDS(ON) 降至低于 1mΩ。这一技术进步不仅大幅减少了开关过程中的振铃、过冲和噪声，还通过其行业领先的软恢复体二极管显著降低了 Qrr。这种设计在导通电阻性能和恢复特性之间达到了理想的平衡，确保了低损耗的快速开关操作。
得益于 PowerTrench T10 技术的改进，中低压、大电流开关电源解决方案的整体效率得到了显著提升。具体来说，与前代产品相比，开关损耗最多可降低 50%，而导通损耗则可减少 30%-40%。这些改进对于提高数据中心的能源利用效率具有重要意义。
为了满足不同应用场景的需求，安森美推出了基于 PowerTrench T10 技术的 40V 和 80V 系列产品。其中，NTMFWS1D5N08X（80V、1.43mΩ、5mm x 6mm SO8-FL 封装）和 NTTFSSCH1D3N04XL（40V、1.3mΩ、3.3mm x 3.3mm 源下双冷却封装）特别适用于人工智能数据中心的电源单元（PSU）和中间母线转换器（IBC）。
这些新产品不仅在性能上达到了同类最佳水平，而且能够满足开放式机架（Open Rack）V3 规范的要求，实现了高达 97.5% 的 PSU 效率和 98% 的 IBC 效率。这标志着安森美在推动数据中心电源转换技术方面迈出了重要一步。
安森美的 PowerTrench T10 MOSFET 技术通过优化关键参数，显著提升了同步整流在数据中心等高性能应用中的效率。随着数据中心规模的不断扩大和技术要求的不断提高，PowerTrench T10 系列产品必将成为未来电源转换解决方案的重要组成部分，助力实现更加高效、可靠的数据中心运营。如需采购、申请样片测试、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
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