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Microchip 推出高性能 IGBT 7 器件组合,助力电力电子系统发展

来源:Microchip官网| 发布日期:2024-11-25 11:48:05 浏览量:

为了应对电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的不断增长需求,Microchip Technology(微芯科技公司)近期发布了全新的IGBT 7器件组合。这一系列器件采用了不同的封装形式,支持多种拓扑结构,并覆盖了广泛的电流和电压范围,旨在为系统设计者提供多样化的电源解决方案。

新推出的IGBT 7器件以其更高的功率容量、更低的功率损耗和紧凑的设计著称,特别适合应用于可持续发展、电动汽车及数据中心等领域。这些高性能的IGBT 7器件是太阳能逆变器、氢能生态系统、商用车辆、农业机械以及更多电动飞机(MEA)中不可或缺的电源组件。

Microchip 推出高性能 IGBT 7 器件组合,助力电力电子系统发展

该产品线涵盖了从标准的D3和D4 62毫米封装到SP6C、SP1F和SP6LI封装的选择,适用于三电平中性点钳位(NPC)、三相桥、升压斩波器、降压斩波器等多种电路拓扑结构,支持1200V至1700V的电压范围和50A至900A的电流范围。

Microchip负责分立产品业务的副总裁Leon Gross指出:“我们的IGBT 7系列产品不仅在易用性和成本效益上达到了新的高度,同时在功率密度和可靠性方面也表现出色,为客户提供前所未有的灵活性。这些产品既适用于常规工业场景,也能满足特定的航空航天和国防需求。更重要的是,我们的电源解决方案可以与Microchip提供的FPGA、单片机(MCU)、微处理器(MPU)、dsPIC®数字信号控制器(DSC)和模拟器件无缝集成,从而实现由单一供应商提供的完整系统解决方案。”

通过采用更低的导通电压、优化的反并联二极管和增加的电流承载能力,IGBT 7器件实现了更低的功率损失、更高的功率密度和系统效率。其低电感封装设计和在最高结温Tvj -175°C下更强的过载承受力,使得这些器件在构建成本效益高且坚固可靠的航空与国防应用(例如推进系统、驱动装置和配电网络)时成为理想之选。

针对需要改善dv/dt控制特性的电机控制应用,IGBT 7器件被设计用于实现高效、平稳且优化的开关操作,确保电机运行更加顺畅。此外,这些先进的器件还致力于提升系统的整体可靠性,减少电磁干扰(EMI)并抑制电压峰值。

Microchip提供了一套全面的电源管理解决方案,包括模拟设备、硅基(Si)和碳化硅(SiC)电源技术、dsPIC®数字信号控制器(DSC)以及各种标准、改进型和定制电源模块,旨在满足不同行业客户的多样化需求。我司代理销售Microchip旗下全系列IC电子元器件,如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。

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