英飞凌CoolSiC™ MOSFET 400V G2：高效能与高坚固性的完美结合

英飞凌科技近期推出了全新的CoolSiC™ MOSFET 400V G2系列产品，该产品将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻相结合，显著提升了系统成本效益。400V SiC MOSFET特别适用于2电平和3电平硬开关及软开关拓扑，能够提供卓越的功率密度和系统效率。主要应用领域包括人工智能服务器电源供应单元（PSU）、开关模式电源（SMPS）、电机控制、可再生能源与储能系统以及D类音频放大器中的功率转换。

产品型号

CoolSiC™ MOSFET 400V G2系列提供了多个型号，以满足不同应用场景的需求：

IMBG40R011M2H

IMBG40R015M2H

IMBG40R025M2H

IMBG40R036M2H

IMBG40R045M2H

IMT40R011M2H

IMT40R015M2H

IMT40R025M2H

IMT40R036M2H

IMT40R045M2H

产品特点

优于650V SiC MOSFET的FOM：在相同条件下，400V SiC MOSFET表现出更好的优值因子（FOM）。

快速换流二极管：具有低Qfr值，有助于提高开关速度和效率。

低RDS(on)温度系数：即使在高温环境下，也能保持稳定的导通电阻。

栅极阈值电压VGS(th)=4.5V：确保了稳定的驱动特性。

单电源驱动：支持VGSoff=0V，简化了电路设计。

100%经过雪崩测试：增强了器件的可靠性。

可控的开关速度：能够在高dV/dt运行期间保持低过冲。

.XT互联技术：提供一流的热性能。

应用价值

高系统效率：优化的开关损耗和导通电阻提高了整体系统效率。

高功率密度设计：紧凑的封装和高效的性能使系统设计更加紧凑。

高设计鲁棒性：低RDS(on)温度系数和100%雪崩测试确保了系统的稳定性和可靠性。

减少EMI滤波：低Qfr值和可控的开关速度有助于减少电磁干扰（EMI）。

适用于硬开关拓扑：在硬开关应用中表现出色。

竞争优势

支持创新拓扑结构：如3L PFC（三电平功率因数校正）和ANPC（有源中点箝位）拓扑。

与高压SiC MOSFET相比的优势：

更低的Ron x A值

更高的FOM

RDS(on)与Tj曲线平坦，100°C时增幅最小

低Qgd、Qoss、fr和Eoss

高压摆率控制、线性Coss和低Qfr

高栅极驱动阈值电压Vth,typ=4.5V，支持0V-18V驱动

较低的米勒比，减轻Cgd/Vds/dt引起的寄生导通

目标应用

AI服务器电源

开关模式电源（SMPS）

电机控制

轻型电动汽车

叉车

电动飞机

固态断路器

太阳能系统

能源储存

D类音频放大器

英飞凌CoolSiC™ MOSFET 400V G2系列产品的推出，不仅为电力电子系统设计者提供了更多的选择，还通过其卓越的性能和可靠性，推动了相关应用领域的技术进步。我司代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件，如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。