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几十年来，硅（Si）一直是半导体行业的主要材料，但随着汽车和可再生能源等领域对现代电力需求应用的发展，硅的局限性日益显现。宽禁带（WBG）材料，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），因其更高的电压、频率和温度工作能力，被视为解决之道。SiC的禁带宽度为3.3eV，远高于硅的1.1eV，使其在高压、大功率应用中表现出色。
碳化硅（SiC）并非新鲜事物，但其在高压、大功率应用中的优越特性使其逐渐崭露头角。SiC的高热导率、高饱和电子漂移速度和高击穿电场，使得SiC设计相比硅MOSFET或IGBT具有更低的损耗、更快的开关速度和更小的几何尺寸。这些特性使其在电动汽车（EV）、太阳能逆变器和固态变压器等应用中具有显著优势。
SiC的制造面临诸多挑战。首先，SiC晶锭需要在高温下通过气相技术（升华法）生长，每小时生长速度仅为0.5毫米。此外，SiC的极端硬度使得切割晶圆非常困难。尽管如此，安森美公司已能够常规生产8英寸的SiC衬底。支持研究
安森美认识到学术界在半导体技术发展中的重要性，正在多个领域开展研究，包括对宇宙射线的抗扰性、栅极氧化物的固有寿命建模等。公司还出资800万美元，与宾夕法尼亚州立大学（PSU）的安森美碳化硅晶体中心（SiC3）进行战略合作，并与欧洲其他六家教育机构合作，推动SiC技术的发展。
安森美为SiC器件提供了完全集成的供应链，从晶锭生长到最终产品封装，全面控制每个环节和相关质量。这种垂直整合的供应链不仅有助于提高产量和控制成本，还能确保生产出零缺陷的高可靠性产品。
安森美采用五步方法应对SiC的特定挑战，包括控制、改进、测试和筛选、特性描述和鉴定。这些步骤确保了栅极氧化物的完整性和可靠性，从而提高了SiC器件的整体性能和寿命。
安森美深知碳化硅在未来电力电子领域的关键作用，特别是在汽车和可再生能源等领域的电力转换应用。公司的垂直整合供应链不仅控制了成本，还确保了向汽车和工业制造商提供零缺陷的产品。通过持续的投资和创新，安森美致力于推动SiC技术的快速发展，满足现代电力应用的需求。我司代理销售安森美旗下全系列IC电子元器件，如需采购、申请样片测试、产品规格书等需求，请加客服微信：13310830171。
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