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Vishay 宣布推出采用 PowerPAK® SO-8S（QFN 6 x 5）封装的全新 150 V TrenchFET® Gen V N 沟道功率 MOSFET，旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。与上一代采用 PowerPAK SO-8 封装的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP 的总导通电阻降低了 68.3%，导通电阻和栅极电荷乘积（功率转换应用中 MOSFET 的关键品质因数（FOM））降低了 15.4%，RthJC 降低了 62.5%，而连续漏极电流增加了 179%。
先进的导通电阻：SiRS5700DP 具有业内领先的导通电阻（10 V 时为 5.6 mΩ）以及导通电阻和栅极电荷乘积 FOM（336 mΩ*nC），可最大限度降低传导造成的功率损耗。
高效率和功率密度：设计人员能够利用这些特性提高效率，满足下一代电源的要求，例如 6 kW AI 服务器电源系统。
超低热阻：PowerPAK SO-8S 封装具有超低的 0.45 °C/W RthJC，可实现高达 144 A 的持续漏极电流，从而提高功率密度，同时提供强大的 SOA 能力。
SiRS5700DP 非常适合同步整流、DC/DC 转换、热插拔开关和 OR-ing 功能。典型应用包括：
服务器、边缘计算、超级计算机和数据存储
通信电源
太阳能逆变器
电机驱动和电动工具
电池管理系统
RoHS 标准：符合 RoHS 标准且无卤素。
100% Rg 和 UIS 测试：经过 100% Rg 和 UIS 测试，符合 IPC-9701 标准，确保更加可靠的温度循环。
兼容性：器件的标准尺寸为 6 mm × 5 mm，完全兼容 PowerPAK SO-8 封装。
Vishay 推出的 SiRS5700DP MOSFET 不仅在技术上实现了显著的性能提升，还为设计人员提供了更高的效率和功率密度，适用于广泛的通信、工业和计算应用。其先进的导通电阻、低热阻和高持续漏极电流使其成为下一代电源系统中的理想选择。我司代理销售Vishay旗下全系列IC电子元器件，如需采购、申请样片测试、产品规格书等需求，请加客服微信：13310830171。
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