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英飞凌科技近日宣布推出全新的 CoolSiC™ MOSFET 650V G2，其导通电阻仅为7mΩ，采用TO-247和TO-247-4 4引脚封装。这款产品以第1代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效、紧凑和可靠解决方案。CoolSiC™ MOSFET 第2代在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的系统设计，包括交流-直流、直流-直流和直流-交流电路及其组合。
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优异的性能指标（FOM）：在关键性能指标上显著改进，提供卓越的性价比。
个位数RDS(on）：低导通电阻确保高效能。
坚固耐用，整体质量高：设计可靠，适用于严苛的工作环境。
灵活的驱动电压范围：支持单电源驱动，VGS（off）=0，避免误开通。
.XT技术改进封装互联：提升散热性能，确保长期稳定运行。
节省物料清单：减少系统组件，降低整体成本。
最大限度地提高单位成本的系统性能：在有限的成本内实现最佳性能。
最高可靠性：确保长时间稳定运行，减少维护需求。
实现最高效率和功率密度：优化能源利用，提高系统效率。
易于使用：与现有供应商完全兼容，简化设计和集成过程。
允许无需风扇或无散热器设计：降低系统复杂性和成本。
开关损耗极低：在高频开关应用中表现优异，减少能量损失。
标杆性栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V：确保稳定的开关性能。
栅极关断电压为0V，可抵御寄生导通：提高系统的可靠性和安全性。
驱动电压灵活，与正负电源驱动兼容：适应多种电源配置，增强设计灵活性。
用于硬换流的坚固体二极管：在硬开关应用中表现稳定，减少故障风险。
.XT互联技术可实现同类最佳的散热性能：确保高效的热量管理，延长器件寿命。
开关电源（SMPS）：提供高效、可靠的电源转换。
光伏逆变器：优化太阳能发电系统的性能。
储能系统：提高能量存储和释放的效率。
不间断电源（UPS）：确保电力供应的稳定性和可靠性。
电动汽车充电：加速电动汽车充电基础设施的发展。
电机驱动：提升电机控制的精度和效率。
英飞凌推出的 CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-4封装，不仅在性能上实现了显著提升，还在可靠性和成本优化方面表现出色。这些特性使其成为多种应用领域的理想选择，特别是在需要高效能和高可靠性的系统设计中。英飞凌通过不断创新，继续引领功率半导体技术的发展。
英飞凌科技近期推出了全新的CoolSiC™ MOSFET 400V G2系列产品，该产品将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻相结合，显著提升了系统成本效益。400V SiC MOSFET特别适用于2电平和3电平硬开关及软开关拓扑，能够提供卓越的功率密度和系统效率。主要应用领域包括人工智能服务器电源供应...【详情+】
2024年11月5日，英飞凌科技的CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块（包括EasyPACK™ 3B封装和62mm封装）凭借其市场领先的产品设计和卓越的性能，荣获2024年全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, WEAA）“年度高性能无源/分立器件”（High Performance Pas...【详情+】
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