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川土微电子近日发布了新款光耦输入型单通道隔离栅极驱动器——CA-IS3211SCWG。该芯片适用于驱动MOSFET、IGBT和SiC MOSFET等功率器件，具有高达7.5kVRMS的隔离耐压。CA-IS3211SCWG能够提供5A拉、6A灌的峰值驱动电流，支持高达30V的输出侧电源电压，适用于双极性电源驱动，有效提升IGBT和SiC MOSFET的性能。
气隙和爬电距离：超过15mm，确保了优异的电气隔离性能。
高共模瞬态抗扰度（CMTI）：最小值为150kV/μs，能够在高速开关应用中保持稳定。
低传输延迟：典型值为70ns，确保了快速响应。
低脉冲宽度失真：最大值为35ns，保证了信号的精确传输。
输入级特性：基于半导体工艺模拟二极管特性，相比传统光耦隔离栅极驱动器的LED，具有更好的产品一致性和更高的可靠性，避免了光衰引发的问题。
其他特性：
12V VCC欠压锁定阈值
轨到轨输出
25ns（最大）部件对部件延迟匹配
隔离栅寿命大于40年
输入级最高反向耐压7V，并支持互锁
超宽体SOIC8-WWB封装，气隙和爬电距离大于15mm
工作结温范围TJ：-40°C到150°C
光耦输入型7.5kVRMS单通道隔离式栅极驱动器
峰值驱动电流：5A拉/6A灌
最大30V输出驱动电源电压
12V VCC欠压锁定阈值
轨到轨输出
70ns（典型值）传输延迟
25ns（最大）部件对部件延迟匹配
35ns（最大）脉冲宽度失真
150kV/μs（最小）共模瞬态抗扰度（CMTI）
隔离栅寿命大于40年
输入级最高反向耐压7V，并支持互锁
超宽体SOIC8-WWB封装，气隙和爬电距离大于15mm
工作结温范围TJ：-40°C到150°C
CA-IS3211SCWG适用于多种高电压、高可靠性要求的应用场景，包括：
符合IEC61851:2023和GB/T 18487.1-2023标准要求的电动汽车充电桩
1500V/2000V/2500V高压光伏逆变器
1500V/2000V/2500V高压储能变流器
高压工业电源、不间断电源(UPS)
川土微电子的CA-IS3211SCWG超宽体光耦输入型隔离栅极驱动器凭借其卓越的性能和可靠性，为高压应用提供了理想的解决方案。无论是电动汽车充电桩、光伏逆变器还是储能变流器，CA-IS3211SCWG都能确保高效、稳定的运行，助力客户实现更高水平的系统性能。如需采购CA-IS3211SCWG、申请样片测试、产品规格书等需求，请加客服微信：13310830171。
英飞凌推出的EiceDRIVER™2ED314xMC12L系列是一款专为驱动SiMOSFET、IGBT以及SiCMOSFET设计的双通道隔离栅极驱动器IC。该系列的所有产品均采用14引脚DSO封装，并具备8mm的输入-输出爬电间距，提供加强的绝缘性能。此外，所有型号均配备了死区时间控制（DTC）功能和独立驱动通道，这使得它...【详情+】
川土微电子宣布推出其超宽体隔离接口系列中的新产品——CA-IS3050WG隔离式控制器局域网（CAN）收发器。这款器件符合ISO11898-2物理层技术规范，内部通过二氧化硅（SiO2）绝缘栅隔离，能够承受高达7500VRMS（60秒）的隔离电压。此外，该器件还具有±150kV/μs的典型共模瞬变抗扰度（CMTI），确保了在恶...【详情+】
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