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2024年11月27-28日,上海贝岭参加了由盖世汽车主办的第五届汽车电驱动及关键技术大会。本次展会,上海贝岭展示了其在汽车电子领域的最新产品和技术方案,涵盖了IGBT、FRD和SiC MOSFET等关键器件,以及功率模块系列
技术平台:基于贝岭Trench-FS Gen5技术平台
特点:
开关损耗低
高可靠性和强短路鲁棒性
正面采用虚拟trench和有效trench优化电容和电荷参数
背面采用多次H FS工艺,增强抗EMI能力
最高工作结温175℃
特性:
VCE最低1200V
持续电流200A @100℃
最高脉冲电流400A
VCE (sat)@Vge=15V 仅1.85V
工作结温范围:-40~175℃
通过AEC-Q101认证
特点:采用寿命控制技术,具有较低的反向恢复电流和反向恢复时间
特性:
VBR最低1200V
正向导通电流200A @100℃
正向导通压降2.0V @200A, Tc=25℃
工作结温范围:-40~175℃
通过AEC-Q101认证
典型应用:通过不同的并联封装,可实现在800V平台新能源汽车不同功率的拖动电机驱动。
技术平台:基于贝岭Trench-FS Gen7 技术平台
特点:
正向压降小、开关速度快
开关损耗低、高可靠性
采用第七代微沟槽栅技术优化导通压降和开关损耗
优化的多层场截止技术改善短路表现
最高工作温度175℃
特性:
VCE最低750V
持续电流275A @100℃
最高脉冲电流550A
VCE (sat)@Vge=15V 仅1.4V
工作结温范围:-55~175℃
通过AEC-Q101认证
特点:采用寿命控制技术,具有较低的反向恢复电流和反向恢复时间
特性:
VBR最低750V
正向导通电流275A @100℃
正向导通压降1.56V @150A, Tc=25℃
工作结温范围:-40~175℃
通过AEC-Q101认证
典型应用:
TO-247PLUS 单管封装适用于最高40kW的汽车主驱逆变器(适合A0级和A00级纯电动汽车)
HPD等形式的750V IGBT功率模块适用于最高120kW的汽车主驱逆变器(适合A级纯电动及混合动力汽车)
特点:N沟道增强型平面MOSFET,采用碳化硅材料
特性:
VDS最低1200V
持续电流40A, 30A @100℃
最高脉冲电流80A
RDS(ON)典型值75mΩ@15V, 50mΩ@20V
低导通电阻和开关损耗
工作结温范围:-40~175℃
通过AEC-Q101认证
典型应用:OBC, DCDC, 空调电子压缩机, 开关电源
特性:
VDS最低1200V
持续电流70A, 50A @100℃
最高脉冲电流160A
RDS(ON)典型值40mΩ@15V, 26mΩ@20V
低导通电阻和开关损耗
工作结温范围:-40~175℃
通过AEC-Q101认证
典型应用:OBC, DCDC, 空调电子压缩机, 充电桩
特性:
VDS最低1200V
持续电流120A, 85A @100℃
最高脉冲电流300A
RDS(ON)典型值16mΩ@18V, 14.5mΩ@20V
低导通电阻和开关损耗
工作结温范围:-40~175℃
通过AEC-Q101认证
典型应用:主驱, OBC, 充电桩
特性:
VDS最低1200V
持续电流152A, 108A @100℃
最高脉冲电流310A
RDS(ON)典型值13mΩ@18V, 10mΩ@20V
低导通电阻和开关损耗
工作结温范围:-40~175℃
通过AEC-Q101认证
典型应用:主驱, OBC, 充电桩
特点:六单元IGBT HPD模块,采用贝岭第7代沟槽栅场阻止层结构
特性:
VCES最低750V
持续电流820A, 450A @80℃
最高脉冲电流1640A
VCE (sat)@Vge=15V 仅1.2V @25℃
优化的栅电荷和米勒电容
强抗EMI能力和短路能力
典型应用:电动汽车和混动汽车的逆变主驱,以及电机驱动
特点:基于贝岭第四代先进的沟槽场截止技术(T-FS4)的IGBT半桥模组(E3),集成NTC温度传感器
特性:
VCES最低1200V
持续电流1200A, 600A @80℃
最高脉冲电流1200A
VCE (sat)@Vge=15V 仅1.75V @25℃
低VCE (sat),优良的开关性能
高可靠性和强短路能力
典型应用:大功率逆变器,风力发电,工业焊机,以及工业UPS系统
通过此次展会,上海贝岭展示了其在汽车电子领域的强大实力和技术优势,为新能源汽车和相关行业提供了高效、可靠的解决方案。期待未来上海贝岭能带来更多创新产品和技术,推动汽车电驱动技术的发展。
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