ST意法半导体引领电源技术创新，推动AI服务器电源向更高功率密度发展

来源：ST意法半导体| 发布日期：2024-12-15 18:00:02 浏览量：

随着科技的进步和市场需求的变化，电源技术也在不断革新。去年，电源厂商的主要焦点是3千瓦ORv3的设计；而今年，这一目标已提升至5.5千瓦，同时M-CRPS服务器电源在3千瓦功率水平上也展现出了不同的平台特色。其中，ORv3主要支持Nvidia的开放机架平台，因此其设计重点在于提高功率输出；相比之下，M-CRPS则更注重于提升功率密度。

第三代半导体材料，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），辅以ST意法半导体的电隔离栅极驱动器STGAP，在这些领域中扮演了至关重要的角色。尤其是在高频应用方面，它们能够显著改善效率并减少损耗。此外，STM32微控制器单元（MCU）通过智能控制电力分配，可以实时适应负载波动，从而进一步优化性能。

ST意法半导体引领电源技术创新推动AI服务器电源向更高功率密度发展

对于AI服务器而言，第三代半导体的重要性尤为突出。它不仅能够在高频下稳定工作，还为AI服务器的发展提供了巨大潜力。目前市场上已经出现了探索8千瓦、8.5千瓦甚至10千瓦或12千瓦等更高功率输出的设计案例。值得注意的是，尽管功率大幅增加，但这些高功率设计并未导致体积增大，这意味着在相同的物理空间内实现了更高的功率密度。

当功率密度得到提升后，如何有效管理热量成为另一个关键挑战。在此背景下，碳化硅因其出色的耐高温特性，在高功率密度及高温操作环境中获得了广泛应用。与此同时，氮化镓凭借其在多相转换架构中的优势，有助于缩小尺寸并提高密度，预计将在未来发挥更加重要的作用。随着被动元件技术的进步，电源设计将从单相扩展到多相转换架构，这将进一步促进电源系统的紧凑性和高效性。

总之，随着第三代半导体材料的应用以及相关技术的不断发展，AI服务器电源正朝着更高功率、更小尺寸和更好散热的方向迈进，而ST意法半导体将继续在这场变革中扮演领导者的角色。

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