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Vishay 最新推出的 SiJK140E 是一款采用 PowerPAK® 10x12 封装的 40 V TrenchFET® 第四代 N 沟道功率 MOSFET。这款器件以其卓越的导通电阻特性著称，为工业应用提供了更高的效率和功率密度。与市场上相同占位面积的竞争产品相比，SiJK140E 的导通电阻降低了 32%，并且比采用 TO-263-7L 封装的同类 40 V MOSFET 导通电阻低 58%。
在 10 V 栅极驱动电压下，SiJK140E 的典型导通电阻仅为 0.34 mΩ，这一数值确保了最小化的传导损耗，从而显著提升了系统的整体效率。同时，该器件拥有出色的热性能，结到壳热阻（RthJC）低至 0.21 °C/W，有助于提高散热效果。
得益于其无线键合 (BWL) 设计，SiJK140E 能够最大限度地减少寄生电感，并提供高达 795 A 的连续漏极电流。相比之下，传统的打线键合 (BW) 封装 TO-263-7L 解决方案电流限于 200 A。此外，SiJK140E 提供了强大的安全工作区 (SOA) 功能，进一步增强了可靠性。
SiJK140E 的 PowerPAK® 10x12 封装仅占用 120 mm² 的 PCB 面积，相较于 TO-263-7L 封装节省了 27% 的空间。而且，其厚度减少了 50%，使得设计更加紧凑灵活。
SiJK140E 广泛适用于多种工业应用场景，包括但不限于：
同步整流：用于高效电源转换。
热插拔和 OR-ing：保障系统冗余性和安全性。
电机驱动控制：支持高性能电动工具、机器人及自动化设备。
焊接设备与等离子切割机：提供稳定的电力输出。
电池管理系统：确保电动汽车和其他便携式电子产品的能源管理。
3D 打印机：助力精密制造过程中的稳定供电。
为了防止误操作或短路问题，标准级别的 SiJK140E 提供了 2.4 V 的高阈值电压。该器件符合 RoHS 标准且不含卤素，并经过了严格的栅极电阻 (Rg) 和不重复雪崩击穿电压 (UIS) 测试，确保了其高品质和长期可靠性。
综上所述，Vishay 的 SiJK140E 不仅通过优化的电气参数提高了应用效率，还凭借其紧凑的封装设计为工程师带来了更多的设计自由度和灵活性。如需SiJK140E产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
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