Nexperia推出创新型CCPAK1212封装80V和100V功率MOSFET

Nexperia（安世半导体），作为基础半导体器件领域的高产能生产专家，近日宣布推出一系列采用创新铜夹片(Copper Clip) CCPAK1212封装的16款新80V和100V功率MOSFET。这些器件凭借其领先的功率密度和优越性能，旨在满足电机控制、电源转换、可再生能源系统及其他耗电应用的需求。

CCPAK1212封装设计中的“CC”代表铜夹片，该结构将功率MOSFET晶圆夹在两片铜片之间，一侧为漏极散热片，另一侧为源极夹片。这种无引线键合的设计优化了导通电阻和寄生电感，提升了最大额定电流并改善了热性能，使得这些器件能够承载更高的电流，并在紧凑的空间内实现优异的热管理。

其中一款标杆产品PSMN1R0-100ASF是100V功率MOSFET，具有0.99 mΩ的超低导通电阻，能够承载高达460 A的电流，达到1.55 kW的耗散功率，而仅占用12mm×12mm的电路板空间。此系列还包含了专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET (ASFET)，以确保在线性模式转换期间提供出色的热稳定性。

所有新型MOSFET均提供了顶部和底部两种散热选项，赋予工程师更大的灵活性，特别是在处理热敏感设计时。此外，Nexperia已将CCPAK1212封装注册至JEDEC标准组织，参考编号MO-359，确保了市场的兼容性和客户的信心。

Nexperia的产品部总经理Chris Boyce表示：“尽管我们拥有市场领先的性能，但我们意识到一些客户可能对较新的封装技术有所顾虑。通过向JEDEC注册CCPAK1212，我们希望消除这些担忧，正如我们在LFPAK MOSFET封装上所做的那样，这最终促进了市场的积极响应。”

为了进一步简化设计流程，Nexperia不仅提供了热补偿仿真模型等先进设计工具，还将传统PDF数据手册升级为交互式版本，新增了“图形转csv”的功能，使工程师可以更方便地下载和分析关键特性数据，增强了设计选择的信心。

展望未来，Nexperia计划将CCPAK1212封装扩展到所有电压范围的功率MOSFET产品线，包括符合车规级AEC-Q101标准的器件，以实现超高电流和出色热性能，满足下一代系统的不断变化需求。

这一系列新产品的推出，体现了Nexperia致力于推动行业进步，为客户提供更高效率、更可靠解决方案的承诺。

附采用CCPAK1212封装型号具如下：

PSMN1R1-80ASF

PSMNR90-80ASE

PSMNR90-80ASF

PSMN1R2-80ASE

PSMN1R0-100ASE

PSMN1R0-100ASF

PSMN1R3-100ASF

PSMN1R4-100ASE

PSMN1R0-100CSF

PSMNR90-80CSF

PSMN1R4-100CSF

PSMN1R4-100CSE

PSMN1R1-100CSE

PSMN1R2-80CSE

PSMN1R0-80CSE

PSMN1R1-80CSF

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