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2024年12月12日，在深圳举行的行家说三代半年会上，众多行业内上下游主流企业及精英齐聚一堂，共同探讨行业发展趋势，深化交流合作。安世半导体凭借其领先的“针对工业和可再生能源应用的CCPAK封装GaN FET”产品，荣获了「GaN年度优秀产品奖」，这一荣誉彰显了其作为全球基础半导体领导者的实力，并展示了其在第三代半导体领域的深厚积累。
在同期举办的SiC & GaN技术应用创新峰会上，成皓分享了《安世半导体GaN FET如何助力新能源行业创新》专题报告。他提到，随着全球对可再生能源需求的增长，氮化镓（GaN）技术以其高效能和高频率特性，逐渐成为提升新能源设备性能的关键驱动力。安世半导体不仅能够提供级联型（Cascode）和增强型（e-mode）两种类型的氮化镓器件，还具备较低的反向恢复电荷、卓越的温度稳定性等优势，为新能源应用提供了降本增效的解决方案。
具体而言，安世半导体推出的GAN039-650NTB是一款具有33 mΩ典型值的氮化镓场效应管，采用创新的CCPAK1212i顶部散热封装技术。这种封装方式结合宽禁带半导体与铜夹片封装，开创了新时代的技术先河，特别适用于太阳能系统、家用热泵等可再生能源应用领域。此外，它也广泛应用于伺服驱动器、开关模式电源(SMPS)、服务器以及电信等行业。
GAN039-650NTB采用了级联配置，实现了优异的开关和导通性能。其坚固可靠的栅极结构提高了噪声容限，简化了设计流程，使得这些器件可以由标准硅MOSFET驱动器轻松驱动，无需复杂控制电路。Nexperia的GaN技术不仅增强了开关稳定性，还将裸片尺寸缩小约24%。该器件在25℃时的RDS(on)仅为33 mΩ（典型值），同时拥有较高的门极阈值电压和较低的体二极管导通压降，进一步提升了整体性能。
通过不断推动技术创新，安世半导体致力于为可持续发展应用开发前沿器件技术，为工业和可再生能源市场注入新的活力。我司代理销售安世半导体旗下全系列IC电子元器件，如需采购、申请样片测试、产品规格书等需求，请加客服微信：13310830171。
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在年度全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards）的颁奖典礼上，安世半导体凭借其1200 V SiC（碳化硅）MOSFET在功率半导体领域的卓越表现，荣获“年度功率半导体产品奖”。这一奖项不仅是对安世半导体在功率半导体市场领导地位的认可，更是对其产品竞争力和技术创新能力的高...【详情+】
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