第三代半导体助力新能源与可再生能源发展

来源：中芯巨能：提供选型指导+现货供应+技术支持| 发布日期：2025-01-02 12:00:01 浏览量：

第三代半导体如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件产业正经历高速发展，特别是在新能源汽车市场的推动下。新能源汽车行业对高效、高密度的功率器件需求旺盛，旨在延长车辆续航里程并优化能量管理。

全球能源结构向可再生能源转变的趋势显著，太阳能光伏和储能系统的广泛采用进一步刺激了对高效功率器件的需求。各国政府也在环保法规和能源战略上给予大力支持，为第三代半导体技术提供了宝贵的发展机遇。据WSTS最新数据，2024年第三季度全球半导体市场达到了1660亿美元的新高，环比增长10.7%，创下自2016年末以来的最大增幅。

第三代半导体助力新能源与可再生能源发展

GaN以其高频、高功率和低能耗特性在射频通信及电力电子领域大放异彩；而SiC则以高击穿电场、高热导率和高电子饱和速率见长，适用于高温、高压和高频应用场景。相较于传统硅基器件，第三代半导体具备更快的开关速度、更高的电流密度支持、更好的温度耐受性和更低的损耗等优点。然而，这些技术也面临寄生电感效应、封装寄生电阻以及电磁干扰等挑战。

面对不同应用领域的特殊要求，选择合适的制造技术对于提升器件性能和可靠性、降低成本至关重要。随着新应用不断涌现，功率器件的多样化需求日益增加，半导体封装技术作为实现高效率、高可靠性和低成本的关键环节，在优化散热、提高功率密度和热管理效率、减少电能损耗等方面扮演着重要角色。通过持续的技术创新，第三代半导体器件不仅能够充分发挥材料性能潜力，还能推动更多创新应用的发展，为行业注入新的活力。

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