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安森美在其技术发展“路线图”中，将沟槽技术视为一个重要的发展方向，同时也在持续深化其在平面技术上的研发。这一策略旨在克服沟槽技术所面临的挑战，同时利用平面技术成熟的优势，确保产品性能达到最优。
安森美的平面SiC MOSFET建立在公司及整个行业数十年的全球制造经验之上，因此具备了无可比拟的性能、稳定性和可靠性。这种器件不仅拥有优化的供应链，还经过了广泛的现场验证，累计使用时间已达数万亿小时，故障率极低。特别是在栅极氧化层方面，安森美通过严格的100%缺陷筛选和加速电气测试，确保了产品的耐用性。
安森美从M1/M2平面技术起步，逐渐引入更先进的条纹管芯和平面技术，如M3T和M3S，以及业界领先的薄晶圆技术，这些都大大减小了管芯尺寸。第三代M3e标志着平面技术发展的巅峰，其管芯间距相比M1减少了超过60%，实现了更高的可制造性和使用寿命。此外，M3e还通过提高阈值电压和降低临界导通电阻简化了栅极电路设计，增强了对寄生导通的抗干扰能力。
随着技术的进步，安森美计划推出下一代M4S和M4T产品，它们将采用先进的沟槽设计和薄晶圆技术，进一步缩小管芯体积，并提供有别于传统平面器件的卓越性能。第四代MOSFET将实现100%沟槽利用率，为市场带来真正的创新。
值得注意的是，在从硅衬底转向SiC的过程中，许多客户首次接触这种新材料时可能未充分意识到其潜在的可靠性风险。相较于硅衬底，SiC中的碳在氧化过程中扮演的角色更加复杂，可能会引起界面问题。安森美正积极应对这些问题，以确保新技术产品的可靠性和长期稳定性。
综上所述，尽管安森美积极推进沟槽技术的发展，但现阶段其平面SiC MOSFET仍然以其高可靠性、稳定性和成本效益占据重要地位。
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