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英飞凌碳化硅技术:引领低碳转型,实现能效与设计创新

来源:英飞凌| 发布日期:2025-01-12 14:00:01 浏览量:

在低碳化转型的进程中,转向可再生能源成为核心议题,而提升能源转换效率则是其中的关键挑战。碳化硅(SiC)作为一种功率半导体技术,正致力于解决这一难题,在能效和设计创新方面取得了显著进展。

英飞凌科技的独特优势

英飞凌科技副总裁、工业与基础设施业务大中华区市场负责人沈璐指出,公司在碳化硅技术领域不仅拥有独特的技术优势,还通过创新商业模式努力成为客户首选的零碳技术创新伙伴。针对市场上关于碳化硅技术可靠性和性能评价原则的常见误区,沈璐进行了详细的澄清和解释。

英飞凌碳化硅技术:引领低碳转型,实现能效与设计创新

英飞凌科技副总裁、

工业与基础设施业务大中华区市场负责人 沈璐

沟槽栅技术的优势

对于碳化硅技术中沟槽栅和平面栅架构的可靠性之争,沈璐形象地将沟槽栅比喻为“下挖一个隧道”,避开了不平整的碳化硅栅极氧化层界面,并通过更厚的氧化层和更高的筛选电压来减少栅极氧化层缺陷,确保了器件的高可靠性。英飞凌早在十年前就率先推广沟槽栅技术,如今该技术路线已成为业界标准,证明了其卓越的性能和可靠性。

多元化性能评价体系

在性能评估方面,沈璐提倡采用多元化的综合考量体系,而非单一依赖“单位面积导通电阻(Rsp)”指标。实际应用中,如光伏、储能、充电桩等领域的高频开关操作带来的开关损耗越来越接近甚至超过导通损耗,同时随着温度升高,沟槽栅导通电阻的高温漂移特性也需要被考虑。因此,英飞凌提供的详尽设计参数能够帮助工程师充分利用器件性能,优化包括开关损耗、导通损耗、封装热阻/杂感、鲁棒性及可靠性在内的多个方面,从而实现更高效能的设计。

持续布局与创新

英飞凌的碳化硅业务策略聚焦于三个主要方向:

持续推进技术迭代和产线升级,确保产品和技术始终保持行业前沿。

不断创新,树立标杆,例如推出全球首款2kV碳化硅分立器件、3.3kV高功率模块以及CoolSiC™ MOSFET G2等创新产品,以满足不同应用场景的需求。

深耕市场,驾驭周期,坚持长期战略定力,专注于做对的事,保持全面的产品组合,助力各行业客户应对周期性挑战。

综上所述,英飞凌通过其领先的碳化硅技术和持续的创新实践,正在引领低碳化转型的新潮流,为能效提升和设计创新注入强大动力

注:我司代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件,如需产品规格书、样片测试、采购等需求,请加客服微信:13310830171。

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