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英飞凌科技高级技术总监、工业与基础设施业务大中华区技术负责人陈立烽深入解析了英飞凌CoolSiC™碳化硅技术的发展路径及其最新一代CoolSiC™ MOSFET G2产品的独特优势。他强调，评价一项技术或产品时，除了关注基本的静态和动态特性外，还需综合考量其可靠性、稳定性和易用性。
英飞凌科技高级技术总监、
工业与基础设施业务大中华区技术负责人 陈立烽
全面评估碳化硅器件性能
在衡量碳化硅器件性能时，陈立烽指出，需要全面考虑多个关键指标，如栅极氧化层的可靠性、体二极管的鲁棒性、驱动电压延展性以及抗短路能力。沟槽栅技术作为提升碳化硅器件性能和可靠性的核心技术之一，英飞凌CoolSiC™ MOSFET采用了非对称沟槽栅结构，通过垂直沟道设计降低导通电阻和开关损耗，并增强栅极氧化层的可靠性。
从设计到封装的全方位推进
英飞凌不仅在器件结构设计上下功夫，还利用.XT封装技术和冷切割工艺来全面提升产品性能。.XT封装技术有效降低了瞬态热阻，提高了芯片性能和寿命；而冷切割技术则提升了晶圆生产效率，确保供应安全。这些努力使得新一代CoolSiC™ MOSFET G2产品在保持高质量和高可靠性的同时，将主要性能指标优化了20%，快速开关能力提高了30%以上。
CoolSiC™ MOSFET G2的应用优势
CoolSiC™ MOSFET G2的最大工作结温提升至200摄氏度，为客户提供了更大的设计灵活性。这使得采用该器件的电动汽车直流快速充电站能够减少10%的功率损耗，同时在不影响外形尺寸的情况下实现更高的充电功率。基于CoolSiC™ MOSFET G2的牵引逆变器可以增加电动汽车的续航里程；而在可再生能源领域，太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时实现更小的尺寸，从而降低成本。
综上所述，英飞凌通过持续的技术创新和全方位的产品优化，正引领着碳化硅技术的发展方向，为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等领域的客户带来显著的竞争优势。
英飞凌科技高级副总裁、工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉表示，自进入中国市场近三十年来，英飞凌一直致力于为发电、输配电、储能及用电等电力全价值链提供高能效的产品和解决方案。这些产品广泛应用于风电、光伏、高铁等领域，对推动社会的绿色低碳转型起到了重要作用。英...【详情+】
在低碳化转型的进程中，转向可再生能源成为核心议题，而提升能源转换效率则是其中的关键挑战。碳化硅（SiC）作为一种功率半导体技术，正致力于解决这一难题，在能效和设计创新方面取得了显著进展。英飞凌科技的独特优势英飞凌科技副总裁、工业与基础设施业务大中华区市场负责人沈璐指出，公...【详情+】
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