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近日，据朝鲜日报报道，三星电子的存储业务部门（DS部门）已经完成了HBM4内存逻辑芯片的设计，并交由Foundry业务部采用4nm工艺进行试产。面对在HBM3E市场落后于SK海力士的局面，三星正计划通过采用更先进的工艺技术，以最大限度地提高HBM4的性能和竞争力。
HBM4相较于前一代产品，在设计和技术上实现了显著的优化和创新。最引人注目的变化之一是其底部逻辑芯片的制造方式。不同于HBM3E仅依赖于内存制造商自身的工艺，HBM4的逻辑芯片将采用代工工艺，这意味着三星需要与逻辑晶圆厂合作，以便支持更多的信号引脚、更大的数据带宽以及客户定制功能。例如，SK海力士已决定采用台积电的5nm工艺来生产HBM4的逻辑芯片，并允许客户集成专有IP，从而增强产品的性能和定制化能力。
HBM4不仅提升了堆叠层数从12层增加到16层，进一步增加了容量和带宽，还在逻辑芯片中集成了系统半导体功能，如低功耗特性等，以更好地满足特定应用场景的需求。此外，针对发热问题——这是HBM技术面临的最大挑战之一，三星电子正在大规模应用4nm工艺，旨在提高整体性能的同时改善散热效果。
为了追赶竞争对手并重获市场份额，三星电子调整了其HBM产品的开发策略。除了采用先进的4nm工艺外，三星还计划在其HBM4产品中使用第六代（c）10nm DRAM芯片进行堆叠，而SK海力士目前仍在使用第五代（b）10nm DRAM。随着DRAM工艺的进步，这种转变不仅能缩小尺寸，还能提升性能和能效。
值得注意的是，三星电子正在探索一种新的堆叠方法——混合键合技术，它通过铜直接连接芯片，而非传统的“凸块”方式，这不仅可以减小尺寸，还可以提高性能。同时，三星还采用了“先进的热压非导电粘合膜（TC-NCF）技术”，每次堆叠时都会放置薄膜状材料，最多可以堆叠12层HBM产品。
一位行业专家评论说：“三星电子在代工工艺方面取得了快速进展，”他补充道，“由于之前几代产品落后，我们现在正加紧推进HBM4项目，以更快地响应客户的样品测试和改进建议。”
近期，三星电子在半导体封装领域取得了重大进展，尤其在面板级封装（PLP）领域超越了台积电。2019年，三星电子以7850亿韩元（约合5.81亿美元）从三星电机手中收购了PLP业务，为其目前的发展奠定了基础。今年3月的股东大会上，三星电子半导体业务（DS）部门前负责人Kyung Kye-hyun详细解释了PLP技术...【详情+】
最新报道显示，英伟达计划从今年9月开始大规模采购三星电子生产的12层HBM3E内存，后者将独家向英伟达供应这一创新产品。在最近举行的GTC 2024大会上，英伟达公司的首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）甚至在三星电子的12层HBM3E实物产品上签下了“黄仁勋认证（Jensen Approved）”的名字。与...【详情+】
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