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上海贝岭最新推出的150V屏蔽栅极晶体管（SGT MOSFET）系列产品，凭借其先进的制造工艺和独特的结构设计，在功率转换应用中表现出色。该系列器件采用了深沟槽、多层外延衬底及多重浮空环终端等技术，不仅实现了极低的导通电阻和较高的漏源间击穿电压，还通过优化的屏蔽栅极结构大幅降低了开关损耗。这些特性使得上海贝岭150V SGT MOSFET在通信服务器电源、电机驱动器、光伏储能系统、电池管理系统（BMS）以及不间断电源（UPS）等多个领域中成为理想的选择。
超低导通电阻
上海贝岭150V SGT MOSFET系列中的BLP038N15型号，其导通电阻典型值仅为2.9mΩ，相较于市场上其他同类产品，导通电阻降低了23%。这种显著的优势意味着更低的传导损耗和更高的系统效率，特别是在大功率并联应用场景下，能够确保优异的一致性表现。
低FOM值
Figure of Merit（FOM），即性能品质因数，是衡量MOSFET综合性能的关键指标之一，它结合了导通电阻和栅极总电荷两个因素。上海贝岭150V SGT MOSFET在保持超低导通电阻的同时，有效地控制了栅极总电荷，从而获得了非常低的FOM值。这一特性有助于加快器件的开关速度，减少功耗，提升整体性能。
多样化封装选择
为了适应不同应用的需求，上海贝岭提供了多种封装形式，包括传统的TO-220和TO-247插件封装，以及适用于高功率密度设计的TOLL和TO-263-7贴片封装。特别是TOLL封装，相比TO-263减少了60%的体积占用，并节省了30%的PCB面积，为客户的产品设计带来更大的灵活性和成本效益。
优良的抗电流冲击能力
上海贝岭150V SGT MOSFET具备出色的雪崩能力和低热阻特性，这使其能够在电机短路情况下提供强大的保护，确保系统的稳定运行。例如，在20kW电机控制器验证平台中，采用BLP038N15的单相5管并联方案，成功支持了高达96V的电池应用，展示了其在实际应用中的可靠性和高性能。
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