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Littelfuse推出TPSMB非对称TVS二极管,革新SiC MOSFET栅极保护

来源:Littelfuse| 发布日期:2024-12-30 10:20:50 浏览量:

Littelfuse近期宣布了其最新产品——TPSMB非对称瞬态电压抑制(TVS)二极管系列的上市。作为全球首款专为汽车应用中的碳化硅(SiC)MOSFET栅极驱动器设计的非对称TVS二极管,这一创新性元件旨在满足下一代电动汽车(EV)系统对于可靠过压保护的需求。

在现代汽车电源系统中,SiC MOSFET因其更快的开关速度而被广泛采用,但这也增加了过压故障的风险。传统的解决方案依赖多个齐纳二极管或TVS元件来提供必要的保护,而TPSMB系列通过其独特的非对称设计,支持不同的正负栅极驱动器额定电压,实现了更高效、更紧凑的一体化保护方案,适用于车载充电器(OBC)、电动汽车牵引逆变器、输入/输出接口以及Vcc总线等关键组件。

Littelfuse推出TPSMB非对称TVS二极管,革新SiC MOSFET栅极保护

Littelfuse保护业务产品管理总监Charlie Cai指出:“TPSMB非对称TVS二极管不仅简化了设计流程,还提升了汽车电源系统的可靠性和性能。”此系列产品具有以下显著特点:

单元件保护:取代多个齐纳或TVS二极管,简化电路设计;

非对称电压保护:精确匹配SiC MOSFET所需的特定正负电压;

紧凑设计:DO-214AA封装适合空间受限的应用;

车规级认证:符合AEC-Q101标准,保证高质量和可靠性;

高功率处理能力:能够承受600W峰值脉冲功率损耗;

低钳位电压:确保在大电流条件下也能提供有效的负栅极保护;

宽频稳定性:在高达2MHz的工作频率下保持稳定电容;

兼容性强:与多种主流SiC MOSFET兼容,包括Littelfuse自家及其他市场领导品牌的产品。

TPSMB非对称TVS二极管的问世,标志着在提升电动汽车和其他高性能应用的安全性与效率方面取得了重要进展。

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