意法半导体MasterGaN1L助力高效氮化镓电源设计

来源：意法半导体官网| 发布日期：2025-02-06 10:52:48 浏览量：

为了加速开发具备出色能效和功率密度的氮化镓（GaN）电源（PSU），意法半导体（STMicroelectronics）推出了基于MasterGaN1L系统级封装（SiP）的谐振转换器参考设计EVL250WMG1L。该设计旨在满足空间有限且对能效有严格要求的工业应用需求，通过整合先进的GaN技术与优化的驱动电路，为工程师提供了高效、紧凑的设计解决方案。

MasterGaN-SiP：集成与性能的完美结合

意法半导体的MasterGaN-SiP技术在一个封装内集成了GaN功率晶体管与专门针对开关速度和控制精度进行了优化的栅极驱动器。这种高度集成的设计不仅提高了电源的整体性能和可靠性，还显著加快了设计周期，减少了PCB电路板的空间占用。相比传统采用多个分立元件的方案，MasterGaN-SiP能够更好地发挥GaN材料的优势，如更高的工作频率、更低的损耗以及更小的尺寸。

EVL250WMG1L：高效紧凑的工业级电源参考设计

EVL250WMG1L参考设计采用了MasterGaN1L，内置两个650V 150mΩ GaN FET晶体管，并结合了意法半导体的L6599A谐振控制器。这一组合使得电源能够在不使用原边散热器的情况下达到超过94%的峰值能效，极大简化了热管理设计。此外，该电源还集成了意法半导体的SRK2001A同步整流控制器，进一步提升了效率并缩小了整体尺寸至80mm x 50mm，实现了高达每立方英寸34瓦（W/inch³）的功率密度。

意法半导体MasterGaN1L助力高效氮化镓电源设计

这款电源的最大输出电流可达10A，在24V直流电压条件下，可提供250W的输出功率。其待机电流低于1µA，体现了卓越的节能特性。为了确保系统的稳定性和安全性，L6599A和SRK2001A内部集成了多种保护功能，包括过流保护、短路保护和过压保护等，同时输入电压监测机制保证了电源的安全启动及欠压锁定功能。

推动工业电源技术创新

意法半导体推出的EVL250WMG1L参考设计，凭借其高效能、紧凑结构和全面的安全特性，为工业级电源的应用带来了新的可能性。它不仅有助于减少能源消耗，还能有效降低设备体积和重量，适用于各种需要高性能电源解决方案的场合。随着全球对节能减排的关注日益增加，这类创新产品将在未来的电力电子市场中扮演重要角色，推动行业向更加环保、高效的未来发展。

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