安世半导体：引领“光储充”系统性能提升的功率器件先锋

安世半导体凭借其在GaN HEMT高电子迁移率晶体管、SiC MOSFET、SiC二极管、IGBT和中低压MOSFET等功率半导体器件领域的创新，正推动“光储充”（光伏、储能、充电）系统的性能达到新高度。这些先进的功率器件不仅提升了电源转换效率，还为工业应用提供了高效、安全且易于集成的解决方案。

GaN HEMT：实现最高转化能效

GaN FETs以其高临界电场强度、高电子饱和速度与极高的电子迁移率为特点，在电源转换拓扑中实现了卓越的能量转化效率和功率密度。它们能够显著降低功耗/开关损失和系统成本，非常适合应用于光伏逆变器、储能系统等高性能功率变换场景。安世半导体作为业内唯一一家同时提供级联型（D-mode，Cascode）和增强型（E-mode）两种类型GaN FETs的供应商，独家推出的650V GaN FETs产品采用了CCPAK封装，这一创新设计使得“光储充”系统的转化能效可提高至99%以上，开关频率的理想值可达1 MHz以上。此外，CCPAK封装相较于其他竞品拥有更高的可靠性和更好的散热性能，进一步巩固了其市场竞争力。

SiC MOSFET：电动汽车转型的关键

随着电动汽车行业加速从400V转向800V电池系统，以克服续航里程和充电速度的问题，SiC几乎成为唯一的解决方案。对于800V电压系统而言，需要1200V耐压的功率芯片。安世半导体已成功研发出性能优异的1200V SiC MOSFET，包括采用3引脚和4引脚TO-247封装以及D2PAK-7 SMD封装的产品系列。这些SiC MOSFET器件具备优秀的导通电阻随结温上升的稳定性、综合品质因数FoM和阈值电压稳定性，降低了体二极管正向压降，并减少了门极电荷，从而提高了抗噪声能力。由于其支持更高的开关频率，因此可以使用更小的磁性元件，减少系统发热并降低成本。在光伏逆变器等高母线电压应用中，SiC MOSFET简化了拓扑结构，提高了效率，减少了器件数量和系统成本。

优化工业应用的IGBT与SiC二极管

安世半导体的650V IGBT产品实现了低VCESAT及开关损耗，参数稳定误差小，易于并联使用，具有优秀的反向恢复能力和更低的工作温度下的正向压降。相比之下，安世半导体的SiC二极管则表现出超低正向压降和出色的反向恢复特性，受温度影响较小，并保持了基于混合式PIN-SiC二极管（MPS）的高鲁棒性。这些特性使其成为工业应用中大电流处理的理想选择，特别是在多管并联方案中，安世半导体的SiC MOSFET凭借其业界领先的VGS(th)稳定性，确保了动态均流的一致性，减少了单个器件承受的电流应力，延长了使用寿命。

中低压MOSFET：新能源应用的核心支撑

安世半导体的中低压MOSFET凭借行业领先的性能和广泛的规格覆盖，为新能源应用提供了强有力的支持。这些器件采用了创新的LFPAK铜夹片封装，拥有超过400种料号，涵盖了7种以上的不同封装形式，适用于低压功率转换、充放电管理等多种应用场景。最新发布的NextPower 80/100V MOSFET系列产品，更是将ID(max)电流能力提升到了最高持续505A，峰值3558A，RDS(ON)低至0.67mΩ，同时提供了顶部和底部两种散热选项。该产品的发布进一步丰富了安世半导体的MOSFET组合，为高功率密度应用提供了更强的解决方案。

综上所述，安世半导体通过其先进的功率器件技术和不断的产品创新，正在为“光储充”系统及其他工业应用带来前所未有的性能提升和技术突破。无论是追求极致效率的光伏逆变器，还是强调可靠性的电动汽车OBC、充电桩，亦或是对系统成本敏感的工业电源开关，安世半导体的产品都能满足最严格的应用需求，助力各行业实现更加绿色、高效的能源管理。

注：我司代理销售安世半导体旗下全系列IC电子元器件，如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。