英飞凌650V G5 CoolGaN™晶体管：推动电力电子行业革新

近日，英飞凌宣布不再支持第一代（G1）CoolGaN™技术用于新设计的消息一度引发了外界对其硅基氮化镓（GaN on silicon, GiT）技术承诺的担忧。然而，随着新一代650V G5 CoolGaN™晶体管系列的推出，英飞凌再次重申了其在推进GaN技术领域的坚定决心和不懈努力。

成功转型与产能提升

英飞凌成功完成了从传统晶圆尺寸向8英寸（200毫米）晶圆的过渡，这一转变不仅大幅提高了生产效率，还显著增加了GaN器件的产量。更重要的是，通过引入创新的有源区结合（BOA）技术，英飞凌能够在不牺牲芯片面积的前提下优化制造工艺，从而进一步提升了产品的性能。尽管热性能主要由硅主体材料决定，但不论是BOA还是传统的非有源区结合（NBOA）设计，有源区对热特性的影响同样至关重要。因此，BOA技术保留了与第一代CoolGaN™设计相同的高散热能力，确保了技术升级不会影响到关键性能指标。

无缝升级路径与性能超越

最新推出的650V G5 CoolGaN™晶体管专为直接替代现有产品而设计，为工程师提供了便捷的升级途径，使得重新设计变得快速且简单。该系列产品在前代技术的基础上进行了多项改进，特别是在以下几个方面取得了显著进步：

输出电容（Eoss）存储能量减少50%：有效降低了开关损耗，尤其在硬开关应用中表现尤为突出。

输出电荷（Qoss）减少60%：提高了运行效率，并减少了软开关拓扑结构中的损耗。

栅极电荷减少60%：降低了驱动损耗，进一步提高了系统效率。

这些改进使晶体管能够以最低的功耗支持高频工作，实现了业内领先的功率密度水平。此外，脉冲电流能力提升了约30%，这不仅增强了PFC（功率因数校正）拓扑结构的设计灵活性，还能有效防止线路掉电事件的发生，保证了器件的可靠性和低故障率。

热性能优化与生产扩展

值得注意的是，CoolGaN™ G5系列的热漂移和动态RDS(on)漂移均降低了高达20%，这种出色的热性能弥补了小尺寸芯片可能带来的不足，确保了器件在各种环境下的稳定表现。为了满足大规模生产的需要，英飞凌已经实现了650V G5 CoolGaN™晶体管技术在8英寸（200毫米）生产线上的量产，并计划逐步扩展至12英寸（300毫米）制程。公司采取了双厂生产策略，充分利用居林和菲拉赫工厂的生产能力，确保了高质量GaN器件的高效、可扩展供应，同时建立了内部双重采购机制，增强了供应链的安全性。

精细化产品组合与市场覆盖

与上一代产品相比，650V G5 CoolGaN™晶体管系列提供了更加精细化的产品组合，包括7种SMD封装和10个RDS(on)等级，极大地提升了设计优化的能力。大多数新产品将于2024年第4季度发布，完整的系列预计将在2025年中期全部上市，届时客户将能够全面体验到英飞凌GaN技术在性能和效率上的全新突破。

总之，凭借卓越的技术性能、优化的设计以及强大的生产能力，英飞凌650V G5 CoolGaN™晶体管技术有望彻底改变电力电子行业的面貌，并在全球范围内产生深远的影响。通过不断的技术创新和产能扩张，英飞凌将继续引领GaN技术的发展方向，为未来的高效能应用提供坚实的支持。

注：我司代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件，如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。