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在电力电子技术的不断进步中，英飞凌科技再次引领潮流，推出了全新的CoolSiC™ MOSFET 750V G1系列。这一系列产品不仅继承了英飞凌20多年来在碳化硅（SiC）技术上的深厚积淀，更通过引入QDPAK TSC顶部散热封装技术，为工业和汽车市场带来了前所未有的性能提升。
CoolSiC™ MOSFET 750V G1系列以其高度可靠的750V工作电压、卓越的开关特性以及出色的热管理能力，成为众多应用场景中的首选解决方案。该系列产品具有极低的导通电阻RDS(on)与快速恢复电荷Qfr乘积，这使得它在同类产品中拥有最佳的优值系数（Figure of Merit, FoM），从而实现更高的效率和功率密度。此外，所有器件均经过严格的雪崩测试，确保其能在极端条件下保持稳定工作，为系统设计提供了更大的灵活性和可靠性。
值得一提的是，新型TSC（Top Side Cooling）封装形式的应用，是这次发布的一大亮点。这种创新的封装方式允许热量直接从芯片表面散发出去，而非传统地通过印刷电路板传导。这样的设计有效减少了热阻路径长度，提高了冷却效率，并且简化了PCB布局。对于需要高功率密度的设计来说，如电动汽车充电站、光伏逆变器等，这意味着可以在更小的空间内实现更高的输出功率，同时降低系统的整体成本。
CoolSiC™ MOSFET 750V G1家族包括了多种不同的型号，覆盖了8mΩ至140mΩ的导通电阻范围，满足不同应用场合的需求。无论是用于工业领域的固态继电器、储能系统，还是服务于汽车行业的车载电池充电器、高压直流-直流转换器，这些高性能的MOSFET都能够提供稳定而高效的电力传输支持。特别是针对那些对可靠性和安全性要求极高的应用，比如高压PTC加热器模块或断路器，CoolSiC™ MOSFET 750V G1凭借其优异的抗寄生导通能力和单电源驱动特性，成为了理想的选择。
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