安森美新一代功率器件组合助力数据中心能效提升

来源：安森美官网| 发布日期：2025-02-14 16:00:01 浏览量：

安森美最新发布的T10 PowerTrench®系列与EliteSiC 650V MOSFET的强强联合，为数据中心带来了革新性的解决方案。这一组合不仅在更小的封装尺寸中实现了卓越的能效和热性能，而且在全球能源节约方面有着不可忽视的贡献。

随着全球数字化进程的加速，数据中心作为信息处理的核心枢纽，其能耗问题日益凸显。据估算，采用安森美的新型解决方案后，数据中心可减少约1%的电力损耗。若此方案得以广泛应用，每年将节省大约10太瓦时的能源消耗，这相当于节省了4.29亿吨煤炭发电量，足够近百万户家庭一年的用电需求。因此，该技术对于推动绿色计算和可持续发展具有重大意义。

安森美EliteSiC 650V MOSFET以其出色的开关特性和较低的寄生电容著称，在提高数据中心效率方面表现出色。相较于前代产品，新一代碳化硅MOSFET的栅极电荷减少了50%，同时输出电容中的能量(Eoss)及输出电荷(Qoss)降低了44%，这些改进有效降低了导通损耗。此外，由于没有拖尾电流，且高温下的性能更为优异，EliteSiC 650V MOSFET能够显著降低关断损耗，并提供比传统硅基器件更高的热量管理效率，从而支持更高的工作频率并减小系统组件尺寸，最终实现系统成本的全面下降。

与此同时，T10 PowerTrench系列则专注于解决DC-DC功率转换过程中高电流处理的问题。通过紧凑设计，它在小体积内提供了更高的功率密度和优秀的散热能力。这得益于屏蔽栅极沟槽结构的应用，使得该系列产品具备超低栅极电荷以及低于1毫欧的导通电阻RDS(on)。软恢复体二极管和低Qrr特性进一步优化了电气性能，确保设备即使在极端条件下也能保持最佳的工作状态、可靠性和稳定性。值得一提的是，T10 PowerTrench 系列同样满足了汽车应用对严格标准的要求。

总的来说，这两种创新产品的推出，标志着功率半导体技术的重大进步。它们不仅加快了电子迁移速度，提高了开关操作的速度，还能够在更高温度下安全运行，同时也增强了冷却效果。碳化硅材料本身所具有的高导热性，更是促进了更高效的散热机制，使得整个系统的效能得到了极大提升。安森美通过不断的技术创新，正引领着数据中心向更加节能高效的方向迈进。

注：我司代理销售安森美旗下全系列IC电子元器件，如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

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