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数据中心追求高效电能转换，以降低运营成本和碳排放。随着平均功率密度的快速攀升——从十年前的每个1U机架5 kW增至现今的20至30 kW或更高——对高效率、紧凑设计的电源系统需求日益迫切。
为了响应V3 (ORV3) 基本规范所设定的严格能效标准，如在30%到100%负载下实现97.5%以上的峰值效率，以及在轻载条件下达到最低94%的效率，电源拓扑的设计变得至关重要。特别是功率因数校正(PFC)阶段，它对于确保符合EMC法规并满足能效规范起着决定性作用。
“图腾柱”PFC拓扑因其高效的交流/直流转换能力，成为数据中心3 kW至8 kW系统的首选方案。此拓扑通过采用宽禁带半导体材料如碳化硅(SiC)制造的MOSFET来替代传统的桥式整流器，从而显著提高能效和功率密度。下图是图腾柱PFC拓扑：
图腾柱PFC拓扑（上图）
与传统硅基超级结MOSFET相比，SiC MOSFET表现出更佳的高温稳定性和开关性能。它们不仅减少了输出电容中的能量存储，降低了开关损耗，而且具备更好的热导率，能够在更高的温度下维持较低的导通电阻，从而减少导通损耗。
安森美的650V M3S EliteSiC MOSFET系列，包括NTBL032N065M3S和NTBL023N065M3S型号，以其卓越的开关特性，大幅度提升了超大规模数据中心PFC和LLC级的能效。该系列产品通过降低栅极电荷、EOSS和QOSS等参数，优化了硬开关和软开关应用的性能，同时减少了热量散发和开关损耗，实现了更加高效的电源管理。
综上所述，SiC MOSFET技术的进步，为数据中心带来了更为高效且环保的电源解决方案，标志着功率半导体领域的重大进步。
注：我司代理销售安森美旗下全系列IC电子元器件，如需采购、申请样片测试、产品规格书等需求，请加客服微信：13310830171。
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在现代电子设备的设计中，选择合适的存储器对于确保系统的性能和可靠性至关重要。瑞萨电子（Renesas Electronics）提供的异步SRAM（静态随机存取存储器），以其卓越的技术特性和广泛的应用范围，在众多领域内成为了工程师们信赖的选择。瑞萨电子代理商-中芯巨能将为您介绍瑞萨电子异步SRAM...【详情+】
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