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全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子发布,基于全新的MOSFET晶圆制造工艺——REXFET-1,成功推出两款100V大功率N沟道MOSFET产品:RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF。该系列产品旨在为电机控制、电池管理、电源及充电管理系统等提供优化的大电流开关性能,广泛适用于电动汽车(EV)、电动自行车、充电站、电动工具、数据中心以及不间断电源(UPS)等多个重要领域。
此次推出的MOSFET新产品不仅在性能上实现了重大突破,更是在效率方面树立了新的标杆。通过采用REXFET-1工艺,新款MOSFET的导通电阻相比之前的产品大幅降低了30%,这意味着客户系统设计中的功率损耗将显著减少,从而实现更高的能源效率。同时,新工艺还使得MOSFET的Qg特性降低10%,Qgd减少了40%,这有助于提升开关速度并进一步降低能量损失,确保终端设备运行更加稳定高效。
除了出色的电气特性外,瑞萨电子的新款MOSFET采用了行业标准的TOLL和TOLG封装,与其它制造商的器件引脚兼容,且体积比传统TO-263封装小50%。其中,TOLL封装具有wettable flanks特点,方便进行光学检测,保证了生产过程中的品质监控。Avi Kashyap, 瑞萨电子离散电源解决方案业务部副总裁表示:“我们依托多年积累的技术优势和强大的生产能力,持续为客户提供高质量的产品和服务。”
为了帮助客户加速产品开发流程,瑞萨电子推出了多种“成功产品组合”方案,这些方案结合了公司内部众多相互兼容且可以无缝协作的产品,涵盖了从48V电动平台到三合一电动汽车单元(逆变器、车载充电器、DC/DC转换器)等多样化应用。目前,瑞萨已推出超过400款这样的“成功产品组合”,它们以验证过的系统架构为基础,提供了低风险的设计选择,能够有效加快产品的上市速度。
注:我司是瑞萨电子代理商,如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。