15年IC行业代理分销 覆盖全球300+品牌
现货库存，2小时发货，提供寄样和解决方案
24小时服务热线: 0755-82539998
现货库存，2小时发货，提供寄样和解决方案
热搜关键词：
英飞凌科技近日宣布推出其第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V TO-247-4HC分立器件系列，这标志着电力电子领域的一大进步。该系列产品在原有第一代技术的基础上进行了优化和升级，旨在提供更高的效率、更紧凑的设计以及无与伦比的可靠性。
新一代产品采用TO-247-4HC高爬电距离封装，提供了从12mΩ到78mΩ不等的电阻选择范围，适用于包括交流-直流、直流-直流和直流-交流在内的各种功率变换应用。具体型号涵盖了IMZC120R012M2H至IMZC120R078M2H等多个选项，为不同需求的用户提供了广泛的选择空间。
产品型号：
IMZC120R012M2H
IMZC120R017M2H
IMZC120R022M2H
IMZC120R026M2H
IMZC120R034M2H
IMZC120R040M2H
IMZC120R053M2H
IMZC120R078M2H
如需以上的产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
英飞凌CoolSiC™ MOSFET G2 1200V系列产品的设计考虑到了多种应用场景的需求，特别是对于那些需要高性能和可靠性的领域。比如，在电动汽车充电站中，这些设备可以显著提高充电效率；在工业电机驱动和控制方面，它们能够实现更好的散热管理；而在不间断电源(UPS)和三相组串逆变器的应用中，它们则展现了卓越的稳健性和耐用性。
此外，这些新产品还具有多个突出的特点：开关损耗极低，最大VGS范围更大（-10V至+25V），过载运行温度最高可达Tvj=200°C，并且拥有市场上同类最佳的最低RDS(on)值。同时，每款产品都保证了至少2µs的最大短路耐受时间，进一步增强了系统的安全性。
从应用价值上看，CoolSiC™ MOSFET G2不仅提高了能源效率，还优化了散热性能，实现了更高的功率密度。这种新型的稳健性使得并联操作变得更加简单，大大提升了系统整体的可靠性。
在市场上，CoolSiC™ MOSFET G2凭借其性能增强、XT互连技术和独特的坚固性，确立了自己的竞争优势。无论是对于追求高性能还是高可靠性的客户来说，这一系列产品都是理想的选择。
总之，随着英飞凌CoolSiC™ MOSFET G2 1200V系列的推出，我们看到了电力电子技术的新一轮革新。它不仅满足了当前市场对高效能组件的需求，也为未来的创新和发展奠定了坚实的基础。
瑞萨电子高级低功耗静态随机存取存储器，通过采用独家技术优化了存储单元结构，使其软错误抵抗力比传统全CMOS存储单元高出500倍以上。瑞萨电子代理商-中芯巨能为您提供瑞萨电子静态随机存取存储器选型表及现货。如需产品规格书、选型指导、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服...【详情+】
瑞萨电子异步静态随机存取存储器（SRAM）提供高速数据读写，无需刷新电路，功耗低，稳定性强，适用于各种嵌入式系统和工业应用。产品系列广泛，满足不同容量和性能需求。瑞萨电子代理商-中芯巨能为您提供瑞萨电子异步静态随机存取存储器选型表及现货。如需产品规格书、选型指导、样片测试、...【详情+】
电话
申请样品
留言
咨询