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英飞凌科技在碳化硅(SiC)技术领域取得了重要突破,计划于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200mm SiC技术的产品。这些创新产品将在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造,并将为高压应用领域提供领先的SiC功率技术,包括可再生能源系统、铁路运输和电动汽车等。此外,英飞凌位于马来西亚居林的生产基地正在进行从150mm晶圆到更大直径、更高效的200mm晶圆的过渡,新建的第三厂区将根据市场需求开始大规模生产。
英飞凌的200mm SiC晶圆技术不仅提高了电源开关的效率,还在极端条件下展现出高度可靠性和稳健性,同时实现了更小尺寸的设计。这种技术进步为客户开发节能解决方案提供了强有力的支持,特别是在电动汽车、快速充电站、铁路运输、可再生能源系统和AI数据中心等领域。通过提供首批基于200mm晶圆技术的SiC产品,英飞凌在SiC产品路线图上迈出了实质性的一步,致力于为客户提供全面的高性能功率半导体产品组合,推动绿色能源的发展并对二氧化碳减排做出贡献。
英飞凌位于奥地利菲拉赫和马来西亚居林的生产基地正在紧密合作,共同推进SiC产品的分阶段量产。作为“英飞凌虚拟协同工厂”,这两个基地通过共享技术和制程工艺,实现了SiC和氮化镓(GaN)产品的快速进入量产和平稳高效的运营。英飞凌科技首席运营官Rutger Wijburg博士表示:“我们正在按计划实施SiC产品的生产,并且十分高兴将开始为客户提供首批产品。通过菲拉赫和居林生产基地的SiC产品分阶段进入量产,我们正在提升成本效益并持续保证产品质量,同时确保我们的产能满足客户对SiC功率半导体的需求。”
SiC半导体为大功率应用带来了变革,其高效能和可靠性使其成为众多领域的理想选择。例如,在电动汽车中,SiC功率器件能够显著提高电池的续航能力,减少充电时间;在快速充电站中,它们可以实现更快的充电速度和更高的转换效率;在铁路运输中,SiC技术能够提高系统的稳定性和安全性;而在可再生能源系统中,SiC器件有助于优化逆变器性能,提升发电效率。此外,随着AI数据中心的快速发展,SiC功率半导体的应用也在不断扩展,助力数据中心实现更高的能效比。
英飞凌致力于推动绿色能源的发展,通过提供高性能的SiC功率半导体产品,帮助客户实现节能减排的目标。200mm SiC晶圆的生产不仅提升了单位面积上的芯片数量,降低了生产成本,还进一步增强了产品的竞争力。与此同时,英飞凌的这一技术进步对于全球二氧化碳减排目标具有重要意义。通过技术创新和高效生产,英飞凌为实现可持续发展目标做出了积极贡献。
总之,英飞凌在200mm SiC产品路线图上的重大进展,标志着公司在SiC功率半导体领域的领先地位得到了进一步巩固。未来,随着更多先进技术的推出和生产基地的扩建,英飞凌将继续引领行业发展,为全球绿色能源转型贡献力量。这不仅是技术的进步,更是对未来能源结构优化的重要一步。