ROHM量产TOLL封装GaN HEMT：GNP2070TD-Z助力高效电源系统

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。这款新产品不仅体积小巧、散热性能出色，还具备优异的电流容量和开关特性，适用于工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域。此次，ROHM选择将封装工序外包给作为半导体后道工序供应商的ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.。如需GNP2070TD-Z产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

实现无碳社会的关键技术

为了实现无碳社会，“提高用电量占全球一大半的电源和电机的效率”已成为全球性的社会问题。功率元器件是提高其效率的关键，SiC（碳化硅）、GaN等新材料有望进一步提升各种电源的效率。ROHM于2023年4月将650V耐压的第1代GaN HEMT投入量产，并于2023年7月将栅极驱动器和650V耐压GaN HEMT一体化封装的Power Stage IC投入量产。

为了应对大功率应用中的进一步小型化和高效率化的市场需求，ROHM在DFN8080封装的基础上追加了TOLL封装，强化了650V GaN HEMT的封装阵容。新产品在TOLL封装中内置第二代GaN on Si芯片，实现了更高的性能和效率。

新产品的优势与特点

1. 小巧且高效的TOLL封装

TOLL封装具有体积小、散热性能优异的特点，适合用于需要高密度设计的应用场景。这种封装形式不仅减少了PCB上的空间占用，还提高了系统的整体散热效果，有助于延长电子设备的使用寿命。

2. 优异的电流容量和开关特性

新产品在导通电阻（RDS（ON））和输入电容（Qoss）方面的表现达到了业界先进水平。具体来说，在与导通电阻和输入电容相关的器件性能指标(RDS（ON）×Qoss)方面，数值表现尤为突出。这使得新产品在需要高耐压且高速开关的电源系统中表现出色，能够显著提升系统的能效。

3. 适用于多种应用场景

新产品广泛应用于工业设备、车载设备以及其他需要支持大功率的应用领域。特别是在电动汽车、数据中心、通信基站等领域，对电源系统的效率和可靠性要求极高，新产品可以有效满足这些需求。

合作伙伴的选择与合作模式

ROHM选择将封装工序外包给ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.（以下简称“ATX”）。ATX作为一家拥有丰富业绩的半导体后道工序供应商（OSAT），在封装工艺方面具有丰富的经验和先进的技术能力。通过与ATX的合作，ROHM能够确保新产品的高质量生产，同时加快产品上市速度，更好地满足市场需求。

市场前景与未来展望

随着全球对能源效率的关注日益增加，功率元器件的需求也在不断增长。特别是GaN等新材料的应用，为电源系统的节能和小型化提供了新的解决方案。ROHM的新产品在TOLL封装中内置第二代GaN on Si芯片，不仅提升了器件的性能，还为市场带来了更多的选择。

未来，ROHM将继续致力于研发和生产高性能的功率元器件，推动GaN技术的发展和应用。通过不断创新，ROHM希望能够为实现无碳社会做出更大的贡献。同时，ROHM也将继续加强与合作伙伴的合作，共同开发更多高效、可靠的电源解决方案，满足不同行业的需求。

结语

ROHM推出的TOLL封装650V耐压GaN HEMT“GNP2070TD-Z”，凭借其小巧的体积、优异的散热性能和出色的电流容量及开关特性，成为工业设备、车载设备等领域的理想选择。通过与ATX的合作，ROHM确保了新产品的高质量生产，并加速了产品的市场推广。未来，随着技术的不断进步，我们期待看到更多基于GaN技术的创新应用，进一步推动各行业的技术发展和能源效率提升。