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扬杰科技IGBT:高性能微沟槽单管产品DGZ50N65CTS2A和DGZ50N65CTH2A

来源:中芯巨能:提供选型指导+现货供应+技术支持| 发布日期:2025-03-11 12:00:01 浏览量:

扬杰科技推出的IGBT高性能微沟槽单管产品,提供TO-247-3L、TO-247-4L等多种封装形式,涵盖650V 50A主流规格。该系列产品不仅包括传统的硅(Si)材料,还提供SiC混合封装选项,以满足不同应用场景的需求。这些IGBT器件主要用于光储充新能源应用领域,采用先进的沟槽设计技术,确保电能转换系统的高效率。相关系列产品与市场主流产品实现完全pin to pin替代,方便用户无缝升级现有系统。此外,所有产品均采用环保物料,符合RoHS标准。

产品特点

1.6微米微沟槽设计:具备低导通压降(Vce(sat))和快速开关特性,显著提升产品性能。

细分中速S系列及高速H系列:分别适用于20-30kHz和30-40kHz的应用需求,为客户提供更精准的选择。

最高结温Tjmax=175℃:确保了产品的高可靠性和长时间稳定工作能力。

扬杰科技IGBT:DGZ50N65CTS2A和DGZ50N65CTH2A产品简介

产品型号

DGZ50N65CTS2A(中速S系列)

DGZ50N65CTH2A(高速H系列)

注:我司代理销售扬杰科技旗下全系列IC电子元器件,如需采购、申请样片测试、产品规格书等需求,请加客服微信:13310830171。

通过以上特点,扬杰科技的IGBT高性能微沟槽单管产品能够有效满足新能源应用对功率器件的高效、可靠要求,助力客户构建更加绿色、高效的电能转换系统。

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