扬杰科技YJN48C60H与JYJT33C60HJ：高性能SJ MOSFET

在高功率密度和高效率电力电子变换系统中，选择合适的MOSFET对于提升系统的整体性能至关重要。扬杰科技推出的YJN48C60H和JYJT33C60HJ两款SJ（Super Junction）MOSFET，采用TO-247和TOLL封装，具备600V/650V的耐压等级。这些产品通过深沟槽技术和多层外延技术制造，实现了较低的导通电阻Rds和栅极电荷Qg，显著降低了导通和开关损耗，支持更高频率与动态响应。本文将详细介绍这两款产品的特点及其应用优势。

产品特点与优势

1. 深沟槽与多层外延技术，内阻低，开关特性优

YJN48C60H和JYJT33C60HJ采用了先进的深沟槽技术和多层外延技术，这是它们能够在众多同类产品中脱颖而出的关键所在。深沟槽技术不仅提高了单位面积内的有效导电路径，还减少了横向电阻，从而大幅降低了导通电阻Rds。与此同时，多层外延技术的应用使得器件内部结构更加优化，进一步改善了开关特性。这种设计不仅有助于降低静态功耗，还能提高动态响应速度，确保在高频工作条件下依然保持高效能表现。

2. TOLL、TO-247封装，适用于大功率应用

这两款MOSFET分别采用了TOLL和TO-247两种常见且可靠的封装形式，适合于各种大功率应用场景。TO-247封装以其坚固耐用著称，能够承受较高的电流负荷，并提供良好的散热性能；而TOLL封装则具有更紧凑的设计，节省了宝贵的PCB空间，同时保持了优秀的电气连接可靠性和热传导效率。无论是工业自动化设备还是新能源发电系统，这两种封装都能满足不同客户的需求，为高功率应用提供了坚实的保障。

3. UIS能力强，Qg与Rds参数更优

除了出色的结构设计外，YJN48C60H和JYJT33C60HJ还具备强大的单脉冲雪崩击穿能力（UIS），这使得它们能够在瞬态电压波动或异常情况下提供额外的安全保护。更重要的是，这两款MOSFET拥有更低的栅极电荷Qg和导通电阻Rds，这意味着它们可以在不牺牲性能的前提下实现更高的开关频率。低Qg值有助于减少每次开关过程中的能量损失，而低Rds则直接降低了导通时的能量消耗，共同提升了整个系统的效率和稳定性。

应用领域

鉴于上述优异特性，YJN48C60H和JYJT33C60HJ特别适用于以下几种典型应用场景：

高功率密度电源转换：如服务器电源、通信基站电源等，需要处理大量数据传输并维持稳定供电的场合，这两款MOSFET可以显著提高转换效率，降低热量生成。

电动车辆驱动系统：电动汽车和混合动力汽车的动力总成系统中，作为关键组件用于电机控制，提供快速响应和平滑加速体验，同时确保安全可靠的运行环境。

可再生能源发电：太阳能逆变器、风力发电机等清洁能源设施中，帮助实现高效的能量转换，保证输出电压的稳定性和纯净度，促进绿色能源的有效利用。

工业自动化设备：如机器人控制器、数控机床等精密制造装备中，作为核心元件参与运动控制和信号传递，确保生产过程的连续性和精度。

注：我司代理销售扬杰科技旗下全系列IC电子元器件，如需YJN48C60H和JYJT33C60HJ产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。