士兰微电子8英寸碳化硅芯片生产线封顶，推动国内功率半导体发展

2025年2月28日，士兰微电子位于厦门的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目（厦门士兰集宏一期）正式封顶。在封顶仪式上，海沧台商投资区管委会副主任眭国瑜、士兰微电子董事会秘书兼高级副总裁陈越以及中建三局（福建）投资建设有限公司总经理王召坤分别致辞，共同庆祝这一重要里程碑。

项目背景与发展历程

士兰集宏项目于2024年6月18日正式开工，经过8个月紧张有序的建设，今天终于迎来了封顶仪式。该项目严格按照事先制定的重大里程碑节点准时完成，并一次性实现了各栋号的全面封顶。士兰微电子长期以来坚持走IDM（设计制造一体化）的发展道路，不断积累技术和工艺经验，推动和引领着国内功率半导体芯片行业的发展。

技术创新与市场应用

士兰微电子在厦门制造基地建设的车规级6英寸SiC MOSFET产线自2022年起已量产三年，基于自主研发和生产的二代SiC主驱芯片开发的高性能SiC功率模块已经大批量应用于新能源汽车，并获得了顶级客户的认可。此外，士兰微电子已完成四代SiC芯片的研发，新一代SiC功率模块也将于今年实现大规模量产。

陈越表示，士兰集宏项目的建成不仅体现了士兰微电子“集中意志和力量，努力实现超越式发展，争取早日成为具有世界一流竞争力的综合性半导体公司”的宏大愿景，还标志着公司在技术创新和市场应用方面的重大突破。

投资规模与未来规划

士兰集宏一期项目总投资达70亿元，计划在今年年底实现初步通线，并在明年一季度正式投产。预计到2028年底，该项目将形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。这将极大地满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩、AI服务器电源、大型白电等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片。

项目的建成不仅有助于提升国内功率半导体行业的整体水平，还将促进8英寸碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。士兰微电子通过持续的技术创新和产业布局，致力于解决国内高端功率半导体芯片依赖进口的问题，推动国内半导体产业链的完善和发展。

社会效益与行业影响

士兰集宏项目的顺利推进对于国内半导体行业具有重要意义。首先，它填补了国内在高端碳化硅功率器件领域的空白，提升了我国在该领域的自主创新能力。其次，随着项目的逐步投产，将有效缓解国内市场对高性能碳化硅芯片的需求压力，降低相关产品的进口依赖度。

此外，该项目的实施还将带动上下游产业链的发展，包括原材料供应、设备制造、封装测试等多个环节，从而形成一个完整的产业生态链。这对于提升国内半导体产业的整体竞争力，推动绿色能源和智能制造的发展具有深远的影响

士兰微电子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目的封顶，标志着公司在技术创新和产业化道路上迈出了坚实的一步。该项目不仅展示了士兰微电子在功率半导体领域的强大实力，也为国内半导体行业的发展注入了新的动力。在未来几年内，随着项目的逐步投产和产能的不断提升，士兰微电子有望成为全球领先的综合性半导体公司之一，为国家的科技进步和经济发展作出更大贡献。