英飞凌CoolSiC™ 1200V MOSFET：高性能与高可靠性的完美结合

英飞凌CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET低欧姆产品（7mΩ、14mΩ和20mΩ），采用TO247-3/TO247-4封装，基于最先进的沟槽栅半导体工艺制造。这些器件不仅性能优越，可靠性也得到了进一步提升。通过采用.XT互连技术，CoolSiC™ MOSFET实现了卓越的热耗散性能，成为硬开关和谐振开关拓扑结构的理想选择。代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您提供英飞凌CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET低欧姆产品特点、应用领域及可选型号。

产品特点

高效散热与低电阻

CoolSiC™ MOSFET在TO247封装中提供了最大规格和最低的RDS(ON)，分别为7mΩ、14mΩ和20mΩ。采用.XT互连技术，这些器件具备同类最佳的热性能，确保在高功率应用中的高效散热。此外，最大栅极源极电压低至-10V，关断栅极电压范围灵活选择在-5V到0V之间，提高了设计的灵活性和应用的便捷性。

稳健性和可靠性

CoolSiC™ MOSFET具有出色的雪崩能力和短路能力，增强了其稳健性和可靠性。这些特性使其能够在极端条件下稳定运行，适用于要求苛刻的应用场景。此外，该系列产品经过优化，性能和可靠性均得到显著提升，满足了市场对高性能功率器件的需求。

应用价值

单个器件的高功率密度

CoolSiC™ MOSFET在单个器件中实现了极高的功率密度，例如7mΩ的单个器件可以实现高达30千瓦的系统输出功率。这不仅提高了系统的整体效率，还减少了所需的空间和组件数量，简化了系统设计。

散热能力提升

由于采用了.XT互连技术和先进的沟槽栅工艺，CoolSiC™ MOSFET的散热能力提高了15%。这意味着在相同的运行条件下，器件能够更有效地散发热量，延长使用寿命并提高系统的稳定性。

设计灵活性

宽关断栅极电压选择（-5V到0V）使得设计更加灵活，易于适应不同的应用场景。无论是硬开关还是谐振开关拓扑结构，CoolSiC™ MOSFET都能提供优异的性能表现，适用于功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑结构、DC-DC转换器或DC-AC逆变器等应用。

市场优势

可靠性与供应安全性

CoolSiC™ MOSFET经过验证并增强了封装的坚固性，具有很高的可靠性。完整的内部生产前端和后端流程，确保了供应的安全性，避免了供应链中断的风险。最新的开关和栅极驱动器技术进一步提升了产品的性能，使其在市场上具备明显的竞争优势。

加速上市时间

CoolSiC™ MOSFET的设计简便，易于集成到现有系统中，从而加快了产品的上市时间。对于需要快速响应市场需求的企业来说，这一点尤为重要。通过使用这些高性能器件，企业能够更快地推出新产品，抢占市场先机。

应用领域

电动车快速充电

CoolSiC™ MOSFET在电动车快速充电站中表现出色，能够提供高效的电力传输和稳定的运行。其高功率密度和卓越的散热性能，使得充电过程更加迅速和安全。

太阳能系统

在太阳能系统中，CoolSiC™ MOSFET用于功率因素校正（PFC）电路和DC-DC转换器，提高了系统的整体效率。其低电阻和高效散热特性，确保了在不同光照条件下的稳定运行。

储能系统

储能系统需要高可靠性和高效率的功率器件，CoolSiC™ MOSFET凭借其出色的性能和可靠性，成为储能系统中的理想选择。它能够在充放电过程中提供稳定的电力支持，延长电池寿命。

工业驱动

工业驱动设备对功率器件的要求极高，CoolSiC™ MOSFET以其高功率密度和稳健性，满足了这些需求。无论是在恶劣环境还是复杂工况下，CoolSiC™ MOSFET都能保证系统的稳定运行。

可选型号

以下是部分型号，如需完整的选型表，请加客服微信：13310830171。