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兆易创新于2025年3月12日发布了专为1.2V系统应用设计的GD25NE系列双电压供电SPI NOR Flash产品，这一创新标志着兆易在低功耗、高性能闪存解决方案领域的又一里程碑。GD25NE系列产品以其独特的双电压供电方案，无需额外升压电路即可与新一代1.2V SoC无缝集成，进一步巩固了兆易在该领域的领先地位。
GD25NE系列的核心供电电压为1.8V，而其IO接口电压则降至1.2V，支持多种传输模式（单通道、双通道、四通道和双沿四通道），最高时钟频率可达STR 133MHz，DTR 104MHz。这些技术特性使得GD25NE系列不仅能够提供卓越的数据读取速度和写入效率，还大幅降低了功耗。例如，该系列产品的写入时间典型值为0.15ms，扇区擦除时间为30ms，相比传统1.2V单电压供电Flash，数据读取性能提升了20%，写入速度提高了60%，擦除时间缩短了30%。
为了满足对能耗有严格要求的应用场景，如智能穿戴设备、医疗健康监测设备、物联网(IoT)以及边缘人工智能等，GD25NE系列特别优化了电源架构，实现了超低功耗运行。其深度睡眠模式下的电流消耗仅为0.2µA，在高速读写操作下也能保持极低的功耗水平。特别是在双沿四通道模式下以104MHz频率工作时，读取电流仅需9mA，擦写电流不超过8mA。相较于传统的1.8V Flash解决方案，GD25NE系列通过采用1.2V IO接口，可实现高达50%的功耗降低。
兆易创新副总裁苏如伟表示：“GD25NE系列代表了双电源SPI NOR Flash技术的新高度，它成功地将高性能与超低功耗结合在一起。”该系列产品不仅能适应未来SoC技术的发展趋势，还能有效提升各种嵌入式系统的整体效能。目前，GD25NE系列已覆盖从32Mb至256Mb的不同容量需求，并提供了SOP16（300 mil）和BGA24（5×5 ball array）两种封装形式供客户选择。其中，256Mb版本的GD25NE256H已经开始提供样片，其他容量的产品也将陆续面市。
目前，兆易创新GD25NE系列可提供从32Mb到256Mb的多种容量选择，并支持SOP16（300 mil）和BGA24（5×5 ball array）封装选项。该系列首款产品——256Mb的GD25NE256H现已开始提供样片。其余32Mb至128Mb容量的产品也将陆续推出。
如需GD25NE256H产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
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