ROHM推出超低导通电阻Nch功率MOSFET，提升服务器电源效率

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻和超宽安全工作区（SOA）范围的Nch功率MOSFET。这一创新产品将显著提升服务器电源电路的效率和可靠性。

新产品的应用场景与优势

ROHM此次推出的三款新产品包括：

RS7E200BG（30V），适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器（HSC）电路。

RS7N200BH（80V）和RS7N160BH（80V），适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧。

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这些新产品针对数据中心和AI处理服务器的需求进行了优化，特别是在高级数据处理技术和数字化转型加速背景下，对支撑数据中心的服务器需求不断增加。由于这些服务器需要24小时不间断运行，因此电源单元中使用的多个MOSFET的导通电阻造成的导通损耗，会对系统整体性能和能效产生重大影响。

解决导通损耗问题

在AC-DC转换电路中，导通损耗占比较大，因此需要使用导通电阻低的MOSFET。ROHM的新产品通过采用DFN5060-8S封装，增加了封装内部芯片可用面积，从而实现了业界超低的导通电阻。这不仅减少了导通损耗，还提高了系统的整体能效。

此外，服务器配备了热插拔功能，可以在通电状态下更换和维护内部的板卡和存储设备。然而，在更换过程中，服务器内部会产生较大的浪涌电流，这对MOSFET的安全性和稳定性提出了更高的要求。更大的安全工作区范围（宽SOA范围）对于保护服务器内部和MOSFET至关重要。

宽SOA范围的重要性

宽SOA范围意味着MOSFET能够在更广泛的条件下稳定工作，即使在高电流和高电压的情况下也能保持良好的性能。这对于防止因浪涌电流导致的损坏尤为重要。ROHM的新产品通过优化封装设计，大幅扩展了SOA范围，确保在各种复杂工况下仍能提供可靠的性能。

DFN5060-8S封装的优势

ROHM新开发的DFN5060-8S封装相比传统封装形式，提供了更大的芯片可用面积。这种设计不仅有助于降低导通电阻，还能提高散热性能，从而进一步增强MOSFET的可靠性和耐用性。DFN5060-8S封装的设计使得新产品在实际应用中表现出色，能够应对各种严苛的工作环境。

提升服务器电源电路的效率和可靠性

ROHM的新产品非常有助于提高服务器电源电路的效率和可靠性。以企业级高性能服务器为例，RS7E200BG（30V）能够有效降低AC-DC转换电路中的导通损耗，提升系统整体能效。而在AI服务器方面，RS7N200BH（80V）和RS7N160BH（80V）则能够在48V系统电源中发挥重要作用，确保在高负载下的稳定运行。

结论

随着数据处理技术的进步和数字化转型的加速，对高性能服务器和AI服务器的需求持续增长。ROHM推出的新型Nch功率MOSFET通过实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围，为服务器电源电路带来了显著的性能提升。无论是企业级高性能服务器还是AI服务器，ROHM的新产品都能提供高效、可靠的解决方案，帮助客户应对日益复杂的电源管理挑战。这一创新不仅提升了服务器的整体性能，也为未来的数据中心和AI处理平台奠定了坚实的基础。