上海贝岭亮相2025上海IIC展：聚焦高效可靠光储系统

即将于2025年3月27日至28日在上海金茂君悦大酒店举行的国际集成电路展览会暨研讨会（IIC），将为全球半导体行业带来一场科技盛宴。作为参展商之一，上海贝岭将在展位号B05展示其最新的功率半导体解决方案，并由工业市场经理康博带来主题为“功率半导体方案赋能高效可靠光储系统”的精彩演讲。

展会亮点与议程

此次IIC展会选址在上海浦东新区世纪大道88号的金茂大厦内，旨在探讨绿色能源生态发展、中国IC设计创新、EDA/IP、MCU技术与应用、高效电源管理及宽禁带半导体技术等多个关键领域。除了丰富的产品和技术展示外，大会还将举办企业新品发布会、高端峰会论坛以及年度重磅奖项揭晓等多维度活动内容，为参会者提供全方位的学习和交流机会。

上海贝岭推荐产品概览

BLG40T120FDK5

这款IGBT采用第五代微沟槽多层场截止技术，电压等级为1200V，电流达到40A。它具备快速开关、低关断损耗和低导通电压的特点，适用于光伏逆变器、PCS、开关电源逆变器和工业焊机等高频应用场景。终端采用了电场优化技术，提升了产品的可靠性，满足HV-H3TRB等标准。

BLG40T120FDL5

同样基于第五代技术，BLG40T120FDL5在优化了导通损耗和开关损耗的基础上，实现了更好的输出特性。通过改进cell设计，该产品可达到超过10us的短路耐受时间，适合通用变频器和三相全桥逆变等需要高可靠性和强短路能力的应用场景。

BLG80T65FDK7与BLG80T65FDL7

这两款基于第七代技术的IGBT产品，电压等级为650V，电流为80A。它们具有快速开关和低关断损耗的优势，特别适合充电桩和工业焊机等高频应用。其中，BLG80T65FDL7进一步加强了短路性能，适用于电机驱动、通用驱动和通用变频器等有短路要求的应用。

BLQG160T75FDL7与BLQGMS820T75FEDL7

前者是一款车规级IGBT，适用于工业和农业车主驱系统；后者则是大电流车规级IGBT模块，专为电动或混动汽车主驱逆变回路设计。两者均采用了HPD封装形式，确保了高可靠性和稳定性。

SiC MOSFET系列产品

最后介绍的是SiC MOSFET系列产品，包括BLC13N120和BLCMF011N120DG2。前者是一款1200V电压等级、13mohm导通电阻的平面SiC MOSFET，广泛应用于固态断路器、高压DC-DC转换器等领域；后者则是一个紧凑型半桥拓扑结构的SiC MOSFET模块，在高效转换器、光伏逆变器和智能电网等领域表现出色。

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康博的主题演讲

在本次大会上，上海贝岭工业市场经理康博将以“功率半导体方案赋能高效可靠光储系统”为主题发表演讲。他将详细介绍如何利用先进的功率半导体技术提升光储系统的效率和可靠性，探讨未来发展的趋势和挑战。康博的演讲不仅将揭示上海贝岭在光储系统领域的最新研究成果，还将分享实际应用案例，帮助听众更好地理解这些技术的实际价值。