安森美推出高效1200V碳化硅智能功率模块

安森美（onsemi）近日推出了其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的SPM 31智能功率模块（IPM）系列。这一创新产品不仅在紧凑的封装尺寸中提供了超高的能效和功率密度，还显著降低了整体系统成本，成为市场上领先的解决方案之一。

超高能效与功率密度

与传统的第7代场截止（FS7）IGBT技术相比，安森美的EliteSiC SPM 31 IPM在多个关键性能指标上实现了突破。这些IPM改进了热性能、降低了功耗，并支持快速开关速度，非常适合三相变频驱动应用。具体应用场景包括AI数据中心、热泵、商用暖通空调（HVAC）系统、伺服电机、机器人、变频驱动器（VFD）以及工业泵和风机等领域的电子换向（EC）风机。

广泛的应用场景

EliteSiC SPM 31 IPM与安森美现有的IGBT SPM 31 IPM产品组合形成互补，提供从40A到70A的多种额定电流选择，覆盖了广泛的市场需求。随着电气化和人工智能应用的增长，尤其是更多AI数据中心的建设，降低该领域应用的能耗变得愈发重要。在这个向低碳排放世界转型的过程中，能够高效转换电能的功率半导体发挥着关键作用。

例如，在数据中心中，冷却风机对于维持设备的理想运行环境至关重要。SiC IPM可以确保这些EC风机以更高能效可靠运行，从而减少能源消耗和运营成本。与压缩机驱动和泵等许多其他工业应用一样，EC风机需要比现有较大的IGBT解决方案具有更高的功率密度和能效。通过改用EliteSiC SPM 31 IPM，客户将受益于更小的尺寸、更高的性能以及因高度集成而简化的设计，从而缩短开发时间，降低整体系统成本，并减少温室气体排放。

具体案例分析

以一个典型的EC风机为例，使用当前IGBT功率集成模块（PIM）的系统解决方案在70%负载时的功率损耗为500W。而采用高效的EliteSiC SPM 31 IPM后，每个EC风机的年能耗和成本可降低52%。这种显著的节能效果不仅有助于企业降低运营成本，还能为环境保护做出贡献。

集成化设计的优势

全集成的EliteSiC SPM 31 IPM包括一个独立的上桥栅极驱动器、低压集成电路（LVIC）、六个EliteSiC MOSFET和一个温度传感器（电压温度传感器或热敏电阻）。该模块基于业界领先的M3 SiC技术，缩小了裸片尺寸，并利用SPM 31封装提高短路耐受时间（SCWT），从而针对硬开关应用进行了优化，适用于工业用变频电机驱动。

此外，EliteSiC SPM 31 IPM还包括以下优势：

低损耗、抗短路能力：M3 EliteSiC MOSFET具备低损耗和额定抗短路能力，防止设备和元件发生灾难性故障，如电击或火灾。

内置欠压保护（UVP）：防止电压过低时损坏设备。

灵活的额定电流选择：作为FS7 IGBT SPM 31的对等产品，客户可以在使用相同PCB板的同时选择不同的额定电流。

UL认证：符合国家和国际安全标准。

单接地电源：提供更好的安全性、设备保护和降噪。

简化设计：栅极驱动器控制和保护、内置自举二极管（BSD）和自举电阻（BSR），为上桥栅极升压驱动提供内部升压二极管，集成温度传感器（由LVIC和/或热敏电阻输出VTS），内置高速高压集成电路。

注：我司代理销售安森美旗下全系列IC电子元器件，如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。