16年IC行业代理分销 覆盖全球300+品牌
现货库存，2小时发货，提供寄样和解决方案
24小时服务热线: 0755-82539998
现货库存，2小时发货，提供寄样和解决方案
热搜关键词：
碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）因其低导通电阻（RDS.A）而在特定应用场景中展现出明显优势。然而，其常开特性限制了它在需要常关状态的应用中的直接使用。为了克服这一局限，研究者提出了一种结合SiC JFET和低压硅MOSFET的Cascode配置方案，以实现常关开关模式。
Cascode结构通过将一个SiC JFET与一个低压、常关的硅MOSFET串联起来构建，其中JFET的栅极连接到MOSFET的源极。这种设计使得整个结构能够在无外部栅源电压时保持关闭状态。具体而言，当MOSFET导通时，其漏源电压为负值，这导致JFET栅源电压接近零，使其进入导通状态；反之，当MOSFET关断且存在正向漏源电压时，JFET栅源电压下降至低于阈值电压而关断。
在实际应用中，有两种主要的物理布局方式：分立式和堆叠式。分立式Cascode采用并排芯片的方式，其中SiC JFET通常通过银烧结固定在封装引线框架上，而MOSFET则安装在一个金属镀层陶瓷隔离器上，并有两组独立的连接线分别连接JFET源极/MOSFET漏极和MOSFET源极/引脚。相比之下，堆叠式Cascode取消了JFET源极与MOSFET漏极之间的连接线，降低了杂散电感的影响，同时采用了更细的连接线来优化电气性能。
用于Cascode结构的MOSFET专门针对此配置进行了优化设计，具有较低的导通电阻RDS(on)，大约仅为相同条件下SiC JFET的十分之一，并且具备低反向恢复电荷QRR等优点。这些特点使MOSFET能够有效地控制高电压条件下的电流流动，同时减少功耗。另一方面，由于大部分开关和导通损耗集中在JFET上，因此整体系统的效率得到了提升。
值得注意的是，Cascode结构不仅拥有灵活多变的栅极驱动电压范围，还提供了更高的增益。在室温环境下，该结构的栅极阈值电压约为5V，无需施加负电压即可正常工作。此外，栅极驱动电压范围广泛，可达±20V，进一步增强了电路设计的灵活性。更重要的是，即使是在极端的栅源电压下（如超过8V），其电导率变化也极为有限，这意味着可以通过较小的自举电压来驱动整个系统，从而降低栅极驱动器的成本和能耗。
综上所述，通过巧妙地结合SiC JFET和低压硅MOSFET形成Cascode结构，研究人员成功解决了传统SiC JFET存在的常开特性问题，实现了高效的常关开关模式。这一创新不仅提升了设备的整体性能，还在多个方面展示了优越的技术优势，有望在未来电力电子领域发挥重要作用。
英飞凌DF4-19MR20W3M1HF_B11是首款采用EasyPACK™ 3B封装的2000V CoolSiC™ MOSFET功率模块，专为简化解决方案、提高功率密度并降低1500 VDC应用的总系统成本而设计。该模块不仅具备4路Boost升压电路，还采用了最新的CoolSiC™ M1H芯片技术，提供了卓越的性能和灵活性。代理销售英...【详情+】
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻和超宽安全工作区（SOA）范围的Nch功率MOSFET。这一创新产品将显著提升服务器电源电路的效率和可靠性。新产品的应用场景与优势ROHM此次推出的三款新产品包...【详情+】
电话
申请样品
留言
咨询