Nexperia扩展E-mode GaN FET产品线，满足多样化市场需求

Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET（增强型氮化镓场效应晶体管）产品组合新增12款新器件，旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信，尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。

新增器件丰富应用场景

自2023年推出E-mode GaN FET以来，Nexperia一直是业内少有同时提供级联型或D-mode和E-mode器件的供应商，为设计人员在应对设计过程中的不同挑战提供了更多便捷性。此次发布的E-mode GaN FET新产品涵盖了多种电压范围的应用需求，从低压到高压，全面覆盖了各类应用场景。

低压应用：提升电池管理系统效率

此次发布的新产品中，包含了一款新型低压40 V双向器件（RDSon<12 mΩ），专门用于支持过压保护（OVP）、负载切换以及低压应用，如移动设备和笔记本电脑中的电池管理系统（BMS）。这款器件凭借其超低的导通电阻，能够有效提高系统的能效，并确保在各种工作条件下的稳定性。

中压应用：广泛应用于电源转换与电机控制

除了低压应用外，此次发布还推出了100 V和150 V器件（RDSon<7 mΩ），这些器件适用于消费电子设备的同步整流（SR）电源、数据通信和电信设备中的DC-DC转换器、光伏微型逆变器、D类音频放大器，以及电动自行车、叉车和轻型电动车（LEV）中的电机控制系统。这些中压器件不仅具备出色的开关性能，还通过其极低的QG和QOSS值，提供了业界领先的品质因数（FOM），非常适合用于高效电源解决方案。

高压应用：优化LED驱动与AC/DC转换

在高压领域，新产品包括700 V器件（RDSon>140 mΩ），主要用于支持LED驱动器和功率因素校正（PFC）应用；以及650 V器件（RDSon>350 mΩ），适用于AC/DC转换器。这些高压器件凭借其卓越的电气特性，能够在高电压环境下实现稳定可靠的操作，进一步提升了系统的整体性能。

出色的开关性能与可靠性

Nexperia E-mode GaN FET技术以其超低的QG（栅极电荷）和QOSS（输出电容存储电荷）值著称，提供了出色的开关性能。这些新器件不仅在开关速度上具有显著优势，还在热管理和电磁兼容性方面表现出色，使得它们成为高效电源解决方案的理想选择。

适应未来发展的技术创新

随着全球对能源效率和紧凑系统需求的不断增加，Nexperia的E-mode GaN FET产品组合为工程师和设计师提供了更多的灵活性和创新空间。无论是消费电子产品还是工业应用，这些新型器件都能帮助用户在不牺牲性能的前提下，优化布板空间，降低系统成本和复杂性。

结语

通过此次产品发布，Nexperia不仅展示了其在氮化镓技术领域的领先地位，也为各行业提供了更加高效、可靠的解决方案。这些新型E-mode GaN FET凭借其卓越的性能、丰富的应用场景和灵活的设计选项，必将在未来的电子设计中发挥重要作用。无论是个人电子产品还是工业自动化，Nexperia的E-mode GaN FET都将成为推动技术进步的重要力量，助力实现更加绿色、高效的未来。

注：我司代理销售Nexperia旗下全系列IC电子元器件，如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。