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随着高功率应用领域对分立式碳化硅(SiC) MOSFET需求的不断增长，Nexperia（安世半导体）正式推出了一系列高效、稳定可靠的工业级1200 V SiC MOSFET。这些器件采用了创新的表面贴装(SMD)顶部散热封装技术X.PAK，为电池储能系统(BESS)、光伏逆变器、电机驱动器及不间断电源(UPS)等应用场景提供了卓越的性能。
新款SiC MOSFET系列不仅在温度稳定性方面表现出色，还通过独特的X.PAK封装设计实现了优异的散热效果。X.PAK封装尺寸仅为14 mm × 18.5 mm，结合了SMD技术和通孔技术的优点，既保证了紧凑的外形，又提升了散热效率。这一设计特别适合需要高效散热的高功率应用，如电动汽车充电基础设施中的充电桩。
1. 创新的X.PAK封装
X.PAK封装允许将散热器直接连接至引线框架，从而显著提高了散热性能。这种设计不仅减少了通过PCB散热带来的负面影响，还使表面贴装组件具备低电感特性，并支持自动化电路板封装流程。此外，它确保了从外壳顶部高效散热，进一步增强了热管理能力。
2. 卓越的温度稳定性
新款SiC MOSFET在25℃至175℃的工作温度范围内，RDS(on)标称值仅增加38%，远优于许多同类产品。相比之下，其他制造商的产品在相同条件下，RDS(on)标称值可能增加超过100%。这表明Nexperia的新品在高温下的导通损耗控制更加出色，有助于提升整体系统的能效。
3. 广泛的应用场景
这些SiC MOSFET适用于多种高功率工业应用，包括但不限于：
电池储能系统(BESS)：提供高效的能量存储和释放解决方案。
光伏逆变器：优化太阳能发电系统的转换效率。
电机驱动器：提高电机运行效率，降低能耗。
不间断电源(UPS)：确保电力供应的连续性和可靠性。
电动汽车充电基础设施：特别是充电桩，助力快速充电技术的发展。
注：我司代理销售Nexperia旗下全系列IC电子元器件，如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
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