意法半导体与英诺赛科携手共拓氮化镓技术新未来

在全球半导体行业蓬勃发展的浪潮中，一项重要的合作正悄然引领着氮化镓技术的革新与发展。意法半导体（ST），作为服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体巨头，与8英寸高性能低成本硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造领域的全球领军企业英诺赛科，正式签署了氮化镓技术开发与制造协议。这一合作标志着双方将充分发挥各自在技术、制造与市场方面的优势，共同提升氮化镓功率解决方案的竞争力和供应链韧性，为全球电子市场注入新的活力。

根据协议内容，意法半导体与英诺赛科将携手推进氮化镓功率技术的联合开发计划。在未来几年内，双方将致力于推动该技术在消费电子、数据中心、汽车、工业电源系统等关键领域的广泛应用，展现出氮化镓技术广阔的发展前景。协议还约定，英诺赛科可以利用意法半导体在中国以外地区的前端制造产能来生产其氮化镓晶圆，而意法半导体则可以借助英诺赛科在中国的前端制造产能生产其自有的氮化镓晶圆。这种灵活的供应链布局，不仅能够拓展双方的氮化镓产品组合和市场供应能力，更能有效提升供应链的韧性，满足不同应用场景下客户的多样化需求。

意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS与传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis对此次合作充满信心。他表示：“意法半导体与英诺赛科均为垂直整合器件制造商（IDM），此次合作将最大化发挥IDM这一模式的优势，为全球客户创造更大的价值。一方面，意法半导体将加速氮化镓功率技术的部署，进一步完善现有的硅和碳化硅产品组合；另一方面，通过灵活的制造模式，我们将更好地服务于全球客户，满足他们对高性能半导体产品的需求。”

英诺赛科董事长兼创始人骆薇薇博士也对合作前景表示振奋。她指出：“氮化镓技术对于实现更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的电子系统具有至关重要的作用。英诺赛科在8英寸硅基氮化镓晶圆量产方面走在行业前列，累计出货量已超10亿颗氮化镓器件，覆盖了多个领域的市场。此次与意法半导体的战略合作，将进一步扩大和加速氮化镓技术的普及。双方团队将共同致力于开发下一代氮化镓技术，推动整个行业的技术进步。”

氮化镓功率器件凭借其卓越的材料特性，已经在电源转换、运动控制与驱动系统等领域树立了性能新标杆。它能够显著降低能耗、提升效率、缩小体积并减轻重量，从而降低整体方案的成本与碳足迹。目前，氮化镓功率器件已在消费电子、数据中心、工业电源与光伏逆变器领域迅速普及，并因其显著的轻量化优势，被积极应用于下一代电动汽车动力系统设计中，展现出巨大的市场潜力和发展空间。

英诺赛科（香港联合交易所股票代码：02577.HK）作为全球氮化镓工艺创新与功率器件制造的领导者，其器件设计与性能一直引领着全球氮化镓技术的发展潮流。公司持续迭代创新的企业文化，将加速氮化镓性能的提升与市场的普及。英诺赛科的氮化镓产品广泛应用于低压、中压和高压产品领域，涵盖了从15V至1200V的氮化镓工艺节点。公司提供的晶圆、分立器件、集成功率集成电路（IC）以及模组产品，为客户打造了强劲可靠的氮化镓（GaN）解决方案。凭借800项已授权及申请中的专利布局，英诺赛科的产品以高可靠性、性能与功能优势，服务于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源及工业电源领域，开创着氮化镓技术的光明未来。

此次意法半导体与英诺赛科的合作，不仅是两大行业巨头的强强联合，更是氮化镓技术发展史上的重要里程碑。双方将携手共进，以创新为驱动，以市场需求为导向，不断推动氮化镓技术的进步与应用拓展，为全球电子行业的发展贡献更多力量，共同迎接氮化镓技术带来的美好未来。